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用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效 应

朱丹丹 章晓中 薛庆忠

用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效 应

朱丹丹, 章晓中, 薛庆忠
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-04-07
  • 修回日期:  2003-05-30
  • 刊出日期:  2003-12-20

用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效 应

  • 1. 清华大学材料科学与工程系,北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50271034)资助的课题.

摘要: 利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研 究了其正磁电阻 效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co 0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时 ,其磁电阻 率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈 减小趋势.样品 的MR-B的曲线与传统的多

English Abstract

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