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Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究

周剑平 陈诺夫 宋书林 柴春林 杨少延 刘志凯 林兰英

Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究

周剑平, 陈诺夫, 宋书林, 柴春林, 杨少延, 刘志凯, 林兰英
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-06-20
  • 修回日期:  2002-10-20
  • 刊出日期:  2003-03-05

Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展项目(批准号:G20000365,G20000683)和国家自然科学基金(批准号 :60176001)资助的课题.

摘要: 采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层GdxSi1-x表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模 型 可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但 没有观察到明显的磁电阻效应.

English Abstract

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