搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaN表面极性的光电子衍射研究

徐彭寿 邓锐 潘海斌 徐法强 谢长坤 李拥华 刘凤琴 易布拉欣·奎热西

引用本文:
Citation:

GaN表面极性的光电子衍射研究

徐彭寿, 邓锐, 潘海斌, 徐法强, 谢长坤, 李拥华, 刘凤琴, 易布拉欣·奎热西

Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface

Xu Peng-Shou, Deng Rui, Pan Hai-Bin, Xu Fa-Qiang, Xie Chang-Kun, Li Yong-Hua, Liu Feng-Qin, K. Yibulaxin
PDF
导出引用
  • 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式,采集了GaN(0001)表面由(1010)和(1120)晶面产生的光电子衍射实验曲线,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0001)表面是Ga在最外层的极性面.利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0001)表面的极化性质进行了研究,进一步证实了GaN表面是Ga在最外层的极性面.
    We have obtained the photoelectron diffraction curves from (1010) and (1120) crystal planes on GaN(0001) surface by using a polar scan mode of x-ray photoelectron diffraction (XPD). On the basis of principle of “forward focusing" of XPD, we have determined that its polarity is Ga termination. The polarity of GaN(0001) surface is also studied by using energy dependence photoelectron diffraction called angle-resolved photoemission extended fine structure, as well as the calculation of multiple scattering cluster models, which confirmed that its polarity is Ga termination.
    • 基金项目: 中国科学院知识创新工程资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  7363
  • PDF下载量:  951
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2003-05-26
  • 修回日期:  2003-10-08
  • 刊出日期:  2004-02-05

/

返回文章
返回