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碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究

于 威 何 杰 孙运涛 朱海丰 韩 理 傅广生

碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究

于 威, 何 杰, 孙运涛, 朱海丰, 韩 理, 傅广生
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-08-23
  • 修回日期:  2003-10-30
  • 刊出日期:  2004-06-15

碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究

  • 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:503129)资助的课题.

摘要: 采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅(a-SiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究.通过原子力显微镜(AFM)和Raman光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析.结果表明,选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a-SiC薄膜的纳米晶化.退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大;Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象.根据以上结果并结合激光退火特性,对a-SiC的脉冲激光晶化机理进行了讨论.

English Abstract

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