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MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

胡跃辉 阴生毅 陈光华 吴越颖 王 青 张文理 周小明 周健儿

MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

胡跃辉, 阴生毅, 陈光华, 吴越颖, 王 青, 张文理, 周小明, 周健儿
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-18
  • 修回日期:  2003-11-21
  • 刊出日期:  2004-07-15

MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

  • 1. (1)北京工业大学材料科学与工程学院,北京 100022; (2)景德镇陶瓷学院,景德镇 333001
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028201)资助的课题.

摘要: 分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.

English Abstract

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