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利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体

闵乃本 范崇禕 李齐 徐有尚 冯端

利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体

闵乃本, 范崇禕, 李齐, 徐有尚, 冯端
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出版历程
  • 收稿日期:  1962-01-20
  • 刊出日期:  2005-08-05

利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体

  • 1. 南京大学物理系

摘要: 本文简单介绍自制的1.5千瓦电子束浮区区熔装置及其工作情况。应用这种装置我们制备了直径4毫米、长2—5厘米的钼单晶体,并掌握了制备定向单晶体的实验技术。制备的钼单晶体没有择优取向;显微镜观察发现晶体表面有大量的台阶(高度在2.3×10-5—6.3×10-4厘米),初步推断为蒸发台阶。

English Abstract

参考文献 (1)

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