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Vol. 19, No. 3 (1963)

1963年02月05日
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铁磁共振的量子理论——各向同性铁氧体的共振条件
杨棨
1963, 95 (3): 139-150. doi: 10.7498/aps.19.139
摘要 +
在本文中用双时间格林函数方法研究了具有两个磁性次晶格的各向同性铁氧体的铁磁共振问题。在一级近似中,所得之磁化率表式及共振条件与经典理论的结果相同。本理论在宽广的温度范围中适用,而且自然地给出自旋系统的共振跃迁几率(它与共振线强度成比例)。最后讨论了理论的应用范围、与实验结果的比较、以及在补偿点附近应作的修正。
甘蔗纤维板穿孔吸声的初步研究
孙广荣, 魏荣爵
1963, 95 (3): 151-159. doi: 10.7498/aps.19.151
摘要 +
本文对国内普遍采用的甘蔗纤维板吸声材料的吸声性质作了初步的研究,而重点则是由这种材料制成的穿孔吸声结构。我们的实验指出这种材料存在著“机械式的振动”和薄板式的共振吸收;而这种材料制成的穿孔结构的共振吸收峯,较一般胶合板等所制成的同类型的结构较为平坦,但在测量的频率范围以内总吸声值要大一些。对文献中提出的两种新穿孔结构也作了简短的探讨。本文主要给出了管测法的实验结果,混响法的结果只作为参考。对于各种清况下的测量结果主要是从比声阻率的概念作了理论说明。结论中还指出使用这种材料制成的吸声结构的优缺点。
利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体
闵乃本, 范崇禕, 李齐, 徐有尚, 冯端
1963, 95 (3): 160-164. doi: 10.7498/aps.19.160
摘要 +
本文简单介绍自制的1.5千瓦电子束浮区区熔装置及其工作情况。应用这种装置我们制备了直径4毫米、长2—5厘米的钼单晶体,并掌握了制备定向单晶体的实验技术。制备的钼单晶体没有择优取向;显微镜观察发现晶体表面有大量的台阶(高度在2.3×10-5—6.3×10-4厘米),初步推断为蒸发台阶。
钼晶体中存在有柏格斯矢量为〈100〉的位错的实验证据
冯端, 闵乃本, 李齐, 林天南
1963, 95 (3): 165-168. doi: 10.7498/aps.19.165
摘要 +
实验结果表明:以乙二酸水溶液为电解浸蚀液,可以在钼单晶体表面上显示位错的浸蚀斑。选{100}面为观察面,沿三叉亚晶界定出了浸蚀斑密度。观测结果证实了不对称倾侧晶界的Read-shockley公式,由此确定了沿亚晶界排列的浸蚀斑与柏格斯矢量为的刃型位错间的一一对应关系。
长金属椭球体顶点处线形单极子天线的辐射问题
任朗
1963, 95 (3): 169-175. doi: 10.7498/aps.19.169
摘要 +
本文分析了竖立在任意长的和任意偏心率的长金属椭球体的顶点上一个与椭球体同轴的并且底馈电的细线形单极子天线的辐射问题,获得了辐射场的普遍表示式。
用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命
王守武
1963, 95 (3): 176-190. doi: 10.7498/aps.19.176
摘要 +
本文提出了一种新的测量半导体材料中少数载流子寿命的方法。这方法是测量触针下分布电阻的光电导衰退。这方法具有下列优点:(1)样品不需要切成一定形状;(2)在样品上不需要做固定电极;(3)可以检验不均匀的材料;(4)不需要一定的表面处理;(5)仪器简单,操作方便;(6)有一定的准确度。文中对表面复合速度以及光线在样品中的吸收深度的影响进行了理论分析;同时对Ge和Si样品的实验数据进行了讨论。用这方法测得的寿命基本上与其他方法的结果符合。
用触针下分布电阻的光电导衰退测量锗和硅中少数载流子的寿命
庄蔚华, 潘贵生
1963, 95 (3): 191-201. doi: 10.7498/aps.19.191
摘要 +
研究了光谱成分不同的激发光和不同表面条件下锗和硅在触针下分布电阻的光电导衰退。对体寿命为τ的半导体,当用贯穿光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子分布均匀,分布电阻的改变随时间t的变化服从△R=△R0e-t/τ的规律;当用白光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子的分布很不均匀,衰退服从△R=△R0t-1/2e-t/τ的规律。但当表面复合速度大时,不管激发光的成分为白光或贯穿光,总是在体内激发的非平