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集中力作用下硅中位错结构

洪晶 叶以正

集中力作用下硅中位错结构

洪晶, 叶以正
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出版历程
  • 收稿日期:  1964-11-02
  • 刊出日期:  2005-08-05

集中力作用下硅中位错结构

摘要: 本文用化学侵蚀法研究了硅单晶样品在800—1000℃印压得到的位错“花结”。实验结果说明:印压产生的位错分布在{111}滑移面上;位错线的取向大部分是或方向。分析并观察到在压印下有两种位错环,一种是柏格斯矢量沿方向并平行于(111)印压面;一种是柏格斯矢量沿方向并与印压面相交。对位错环的结构进行了分析。

English Abstract

参考文献 (1)

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