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硅中位错运动速度

洪晶 叶以正

硅中位错运动速度

洪晶, 叶以正
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出版历程
  • 收稿日期:  1965-01-18
  • 刊出日期:  2005-08-05

硅中位错运动速度

  • 1. 哈尔滨工业大学

摘要: 本文用化学侵蚀法显示了硅晶体印压产生的位错。测量了在不同温度、不同切应力下“花结”上刃型(或60°)位错的运动速度。设位错运动是热激活的,激活能为~2.94eV.比较了900℃下刃型(或60°)位错及螺型位错的速度,后者较小。在不同样品上进行速度的测定,说明原生位错对形变位错运动有阻碍作用。观察到原生位错和晶界位错在外加力作用下的增殖,对位错在增殖中的速度进行了测量。讨论了本工作所用的实验方法,并分析了影响速度测量值的某些因素。

English Abstract

参考文献 (1)

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