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区熔硅单晶中一种位错源

刘振茂 王贵华

区熔硅单晶中一种位错源

刘振茂, 王贵华
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出版历程
  • 收稿日期:  1978-07-25
  • 刊出日期:  2005-07-29

区熔硅单晶中一种位错源

  • 1. 哈尔滨工业大学

摘要: 用化学侵蚀法研究了区熔法生长的硅单晶体中的杂质条,以及由此杂质条的体印压产生的位错环列。实验结果表明,杂质条处在硅中{111}面的〈110〉方向上,杂质条的长度约为5—230μm;其横向尺寸约为2—3μm。我们研究了杂质条体印压产生的位错环列的几何结构。杂质条的尺寸和形状决定了位错环的尺寸和形状。还观察和分析了位错环列交叠产生的位错网络。

English Abstract

参考文献 (1)

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