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Vol. 29, No. 9 (1980)

1980年05月05日
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非均匀等离子体湍流的重正化准线性理论(Ⅰ)——Misguich-Balescu理论的推广
邱孝明
1980, 180 (9): 1093-1103. doi: 10.7498/aps.29.1093
摘要 +
本文将Misguich和Balescu的理论推广到非均匀等离子体的情形,导出了包括非均匀性效应的扩散方程与扩散张量的表式以及色散关系。指出Pelletier等人对等离子体湍流可作马尔科夫近似处理的论证完全不适用于非均匀等离子体湍流的问题。
非均匀等离子体湍流的重正化准线性理论(Ⅱ)——湍性等离子体中的共振扩散
邱孝明
1980, 180 (9): 1104-1109. doi: 10.7498/aps.29.1104
摘要 +
本文在文献[1]的理论基础上,导出了用稳态湍流谱Sk0(0)表出的共振扩散张量的具体表式,与Birmingham等人的结果做了比较。我们在文献[1]中导出的色散关系也同时在这里与Birmingham等人的相应结果做了比较。
环形等离子体平衡时维持场电流的计算
孙继广, 张淳沅, 庆承瑞
1980, 180 (9): 1110-1120. doi: 10.7498/aps.29.1110
摘要 +
本文介绍一个计算轴对称任意截面环形等离子体平衡问题的方法。先选定等离子体边界和环电流分布,用有限元方法解平衡方程的边值问题。借助于虚壳原理,得到用平衡方程解表示的能够产生平衡时所需要的维持场的虚壳电流。计算虚壳电流在等离子体区的维持场,以它为根据,采用积分方程开拓,求等离子体区外某位形上的维持场电流分布。解决这个问题的主要困难是当磁场向外开拓时遇到了不适定问题。我们用奇异值分解方法解不适定的Fredholm第一类积分方程。这个方法能容易地找到稳定解,对解决这个平衡问题是简单有效的。我们以七种等离子体截面形状,三种电流分布为具体模型,在三种维持场电流分布位形上给出了维持场电流分布。还给出了维持场形态,维持场总电流与等离子体总电流的比较,并简单讨论了维持场对等离子体整体稳定性的影响。
脉冲强磁场系统最佳设计的理论
张裕恒
1980, 180 (9): 1121-1134. doi: 10.7498/aps.29.1121
摘要 +
本文综合考虑了线圈、电源和电路诸因素,并据此第一次建立了一个设计标准电容器放电型脉冲磁体(绕组线圈、Bitter线圈或单匝线圈)通用的理论。只要给出设计指标:B0,2α1,1/2T,σ,λ和V,就可以由本理论算出磁体的最佳结构参数和电源的设计参数(i0,F(α,β),α2,b,L,C,N,l,S(或d),R和Imax)。本文并对最佳磁体结构进行了物理探讨。
薄膜光栅耦合器的研究
徐德维
1980, 180 (9): 1135-1141. doi: 10.7498/aps.29.1135
摘要 +
在玻璃衬底上制备了周期为0.56μm的薄膜光栅耦合器,用复制法把光栅做在玻璃衬底上。实验中,我们观察到,激光束既可以从光栅的上面(空气区)或下面(衬底区)耦合于波导薄膜内,又可以通过光栅由波导薄膜中耦合出来。调节激光束入射角可以激发不同阶的波导模式。由实验测得的输入耦合效率达66.0±0.5%。
空间散斑的运动规律
伍小平, 何世平, 李志超
1980, 180 (9): 1142-1150. doi: 10.7498/aps.29.1142
摘要 +
相干光照明的漫射表面在空间中产生随机散斑。反射表面相对于光源运动,引起散斑的相应运动。当跟踪一个运动的斑,认为斑的强度不变,而位相是可以变化的。从Fresnel-Kirch-hoff积分,得到关于散斑运动的三个基本规则,即文中的(3),(4)和(5)式。第一和第二式类似于光栅方程。第三式类似于透镜定律。从这三个规则推导了当表面运动时散斑的运动公式(18)。这公式以矩阵形式表示,包括三个转动和三个平动。实验结果与公式非常符合。同时,三个基本规则适用于一般的空间衍射图。
热核反应中次级粒子的总产额和能谱
许金奎
1980, 180 (9): 1151-1157. doi: 10.7498/aps.29.1151
摘要 +
本文从核反应运动学的基本图象出发,推导了在等离子体中热核反应所产生的次级粒子的总产额和能谱的一般表达式,并对利用热核反应所产生的次级粒子作为诊断等离子体参数的工具作了简要讨论。
α-LiIO3单晶的电导机制和低温电导
张安东, 赵世富, 谢安云, 许政一
1980, 180 (9): 1158-1163. doi: 10.7498/aps.29.1158
摘要 +
本文指出,测量离子导体样品中心到两电极间电势差,根据它们之间的关系,可以判断载流子的荷电性质。将此法用于α-LiIO3单晶,并根据α-LiIO3为准一维导体,得知α-LiIO3中有两种载流子:一种为间隙Li+,它沿着c向的略有曲折的管导从一个间隙位跳跃到另一间隙位;另一种为Li空位,也沿着c向不断和格位Li交换位置。我们测量了α-LiIO3的从-100℃到室温的电导性质,结果与室温以上的情况相类似。
区熔硅单晶中一种位错源
刘振茂, 王贵华
1980, 180 (9): 1164-1179. doi: 10.7498/aps.29.1164
摘要 +
用化学侵蚀法研究了区熔法生长的硅单晶体中的杂质条,以及由此杂质条的体印压产生的位错环列。实验结果表明,杂质条处在硅中{111}面的〈110〉方向上,杂质条的长度约为5—230μm;其横向尺寸约为2—3μm。我们研究了杂质条体印压产生的位错环列的几何结构。杂质条的尺寸和形状决定了位错环的尺寸和形状。还观察和分析了位错环列交叠产生的位错网络。
铝一镁合金中的反常位错内耗峰
潘正良, 王中光, 孔庆虎, 葛庭燧
1980, 180 (9): 1180-1185. doi: 10.7498/aps.29.1180
摘要 +
Al-0.03at% Mg合金在倒扭摆上-65℃在原位进行拉伸,形变量为0.5%,然后在升温过程中测量内耗,于-30℃及60℃附近观测到内耗峰,随后从80℃的降温过程中仍在相同温度观测到内耗峰。研究了不同温度下的内耗-振幅曲线,在降温过程中出现内耗峰的温度范围内观测到了振幅内耗峰,并由此计算得到等效激活能分别为0.32及0.22eV。初步认为,当低温冷加产生的位错弯结在外力作用下作沿边往复运动时,“镁原子-空位”对和镁原子被拖曳运动是分别引起-30℃峰和60℃峰的可能的原因。
Tc级数解的收敛半径问题
周子舫, 吴杭生, 茅德强, 顾一鸣
1980, 180 (9): 1186-1192. doi: 10.7498/aps.29.1186
摘要 +
本文从Eliashberg方程出发,证明了一个计算Tc级数解收敛半径1/Λ的公式。它和作者之一及其合作者在前一篇文章中猜测的公式实际上是相符的,从而肯定了他们建议的计算Λ的方法是正确的。
不均匀的无规系统处理方法
张昭庆
1980, 180 (9): 1193-1203. doi: 10.7498/aps.29.1193
摘要 +
我们将过去处理一个均匀的无规二元系统对所有组态取系综平均的方法推广到处理不均匀的无规二元系统上。这系统的成分浓度不是常数而是有调制的。为处理这种系统,我们取了一个有限制的系综,并导出了推广的CPA方程。如果将浓度c(r)分成c及δc(r)两部分,就可以用一种分解的方式将系统的平均分成两次连续的平均,第一次对均匀浓度c取平均,第二次对不均匀的浓度δc取平均。在正弦调制的浓度下,本文将平均单粒子的格林函数和它的自能算到δc/c的第二阶项。对于虚晶体极限,我们得到与超晶格类似的能带分裂现象。
研究简报
扭摆——探测低频引力波的一种可能的天线
郑庆障, 崔世治
1980, 180 (9): 1204-1209. doi: 10.7498/aps.29.1204
摘要 +
本文研究了扭摆对引力波的响应和吸收截面,并对有关的问题进行了讨论,指出它可以作为探测低频引力波的机械共振天线。
用穆斯堡尔谱研究锶铁氧体
张毓昌, 李正宇, 焦洪震, 翟宏如
1980, 180 (9): 1210-1213. doi: 10.7498/aps.29.1210
摘要 +
本文用穆斯堡尔谱研究化学共沉淀法制备的锶铁氧体粉料在烧结过程中的相变,以及粉料的超顺磁性。分析了粉料粒度对相变过程的影响,并测定了锶铁氧体SrFe12O19的五种晶位的穆斯堡尔谱参数。
用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应
卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星, 莫党
1980, 180 (9): 1214-1216. doi: 10.7498/aps.29.1214
摘要 +
我们用椭圆偏光法对As+离子注入Si的损伤和退火效应进行了测量。对As+注入能量为150keV、注入剂量为1016cm-2的情况,测得的折射率分布呈现平台型,表明出现了非晶质层。在600—700℃间有一转变温度,高于此温度退火,可消除非晶质层。实验结果表明椭圆偏光法亦是测定辐射损伤的有用工具。
X射线单色四重聚焦照相机单色器的衍射几何
郭常霖
1980, 180 (9): 1217-1221. doi: 10.7498/aps.29.1217
摘要 +
本文详细分析了不对称Johann型单色器和不对称对数螺线型单色器的衍射几何。给出了计算X射线源焦点到单色器距离L1、射线源及聚焦线交叉区散焦宽度b1,b2的表达式。根据理论分析的结果,在试制聚焦相机时采用了近似不对称Johann型的可调弯曲石英单色器。
Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象
魏成连, 董玉兰, 高之纬
1980, 180 (9): 1222-1225. doi: 10.7498/aps.29.1222
摘要 +
本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d(111)(a)和d(111)(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d(111)(a)和d(111)(b)以及d(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。
Nb/Nb3Sn复合超导材料的高压电子显微镜观察
唐先德, 吴自勤, 高巧君, 李永洪
1980, 180 (9): 1226-1230. doi: 10.7498/aps.29.1226
摘要 +
用1000kV高压电子显微镜观察了单芯和多芯Nb/Nb3Sn复合材料的显微组织,看到了由Nb3Sn/Nb3Sn晶粒重叠而成的叠栅图和Nb基体/Nb3Sn晶粒重叠而成的叠栅图。
共焦不稳定光学谐振腔的解析解
刘建邦
1980, 180 (9): 1231-1236. doi: 10.7498/aps.29.1231
摘要 +
本文将Kirchhoff-Fresnel积分方程变换到Fourier空间,求解后得到共焦不稳定腔解析形式的本征函数、本征值、共振条件与远场分布。本文所得Fourier空间中的本征函数形式很简单,可为进一步研究不稳定腔提供一个简便的出发点。