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Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象

魏成连 董玉兰 高之纬

Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象

魏成连, 董玉兰, 高之纬
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-01-19
  • 刊出日期:  2005-07-29

Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象

  • 1. 中国科学院高能物理研究所

摘要: 本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d(111)(a)和d(111)(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d(111)(a)和d(111)(b)以及d(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。

English Abstract

参考文献 (1)

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