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用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

卢因诚 李旦晖 刘尚合 卢武星 莫党

用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星, 莫党
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-11-27
  • 刊出日期:  2005-07-29

用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应

  • 1. (1)北京半导体器件研究所; (2)北京师范大学; (3)中山大学物理系

摘要: 我们用椭圆偏光法对As+离子注入Si的损伤和退火效应进行了测量。对As+注入能量为150keV、注入剂量为1016cm-2的情况,测得的折射率分布呈现平台型,表明出现了非晶质层。在600—700℃间有一转变温度,高于此温度退火,可消除非晶质层。实验结果表明椭圆偏光法亦是测定辐射损伤的有用工具。

English Abstract

参考文献 (1)

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