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半导体的CO2激光退火和合金化

邹世昌 林成鲁

半导体的CO2激光退火和合金化

邹世昌, 林成鲁
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-12-02
  • 刊出日期:  1982-04-05

半导体的CO2激光退火和合金化

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 本文主要研究连续CO2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO2激光照射半导体有如下特点:CO2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。

English Abstract

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