搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

CW CO2激光退火在硅中产生的氧沾污

许振嘉 陈维德

CW CO2激光退火在硅中产生的氧沾污

许振嘉, 陈维德
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2240
  • PDF下载量:  390
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1982-09-13
  • 刊出日期:  2005-07-20

CW CO2激光退火在硅中产生的氧沾污

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 利用相衬显微术、电子吸收像、IR光谱、AES和ESCA谱研究了硅片经CW CO2激光退火后的一些特征,其中着重分析氧的深度沾污问题。电子吸收像表明:我们的CW CO2激光退火条件下,其效果并不很均匀。实验还证明:空气中的CW CO2激光退火可以减少样品表面的碳沾污,但产生氧沾污。氧的沾污分两部分:表面是SiOx,其下是自由氧原子,厚度不大于250?。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回