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掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

王渭源 夏冠群 卢建国 邵永富 乔墉

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

王渭源, 夏冠群, 卢建国, 邵永富, 乔墉
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-03-12
  • 刊出日期:  2005-03-28

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中28Si+注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAsMESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。

English Abstract

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