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4He+在Al和Si单晶晶面沟道中的半波长及阻止本领

金卫国 赵国庆

4He+在Al和Si单晶晶面沟道中的半波长及阻止本领

金卫国, 赵国庆
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-07-06
  • 刊出日期:  2005-07-06

4He+在Al和Si单晶晶面沟道中的半波长及阻止本领

  • 1. 复旦大学原子核科学系
    基金项目: 

    复旦大学自然科学专项基金

摘要: 采用高分辨探测系统,在不同的入射角θin和出射角θout的条件下,测量了1—2MeV4He+入射在Al(100)面和Si(110),(100)面中的背散射能谱。得到了背散射能谱振荡峰的间距ΔE与cosθin/cosθout的直线关系,从而获得了1—2MeV4He+在这三个晶面中的振荡半波长及阻止本领。实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致,晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

English Abstract

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