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超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析

郭元恒 陈岚峰

超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析

郭元恒, 陈岚峰
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-09-14
  • 刊出日期:  2005-07-06

超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)北京有色金属研究总院

摘要: 利用表面分析仪器俄歇电子能谱(AES)仪和电子能谱化学分析(ESCA)仪对超导Nb-Ge溅射膜进行表面和深度剖面分析,以探讨在溅射沉积成膜过程中A15结构Nb3Ge能够稳定生长的机制,以及影响其转变温度Tc的因素。分析结果表明,超导Nb-Ge膜中含有O,C和Al等杂质,其中O的含量对Tc有重要影响。表面上未发现有聚集的Ge。Nb/Ge密度比由表面层的3.1向内部逐渐降至2.26。X射线光电子能谱(XPS)的分析表明:Nb,Ge,C和O的谱峰沿深度均有不同程度的化学位移和峰形变化,这明这些元素的化学态在膜内是复杂的。但其中Nb的变化最小,可能对高TcA15Nb3Ge相的生长起稳定作用。

English Abstract

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