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n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究

吴凤美 汪春 唐杰 龚邦瑞

n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究

吴凤美, 汪春, 唐杰, 龚邦瑞
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-07-02
  • 刊出日期:  2005-07-06

n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究

  • 1. (1)南京大学物理系; (2)南京电子器件研究所

摘要: 本文研究了1MeV中子辐照在气相外延n-GaAs有源层中深能级缺陷的特性和热退火性能。结果表明,大多数感生缺陷是与两个以上原子位移有关的缺陷。另外,当H1能级通火时,出现了一个新的缺陷能级E5(Ec-0.73eV)。研究表明GaAs MESFET参数的变化主要是由于载流子去除。

English Abstract

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