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分子束外延生长Si/GaP(111)异质结的界面特性

邓容平 蒋维栋 孙恒慧

分子束外延生长Si/GaP(111)异质结的界面特性

邓容平, 蒋维栋, 孙恒慧
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  • 本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(111)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(111)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(111)是一种弱整流结构。导带失配△Ec=0.10eV,界面电荷密度σi=8.8×1010cm-2。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性
    • 基金项目: 国家自然科学基金
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-07-14
  • 刊出日期:  2005-07-08

分子束外延生长Si/GaP(111)异质结的界面特性

  • 1. (1)复旦大学物理系; (2)复旦大学物理系,新疆大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(111)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(111)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(111)是一种弱整流结构。导带失配△Ec=0.10eV,界面电荷密度σi=8.8×1010cm-2。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性

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