搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

n-Ge常温反常Hall效应机理实验

邢旭

引用本文:
Citation:

n-Ge常温反常Hall效应机理实验

邢旭
cstr: 32037.14.aps.39.614

EXPERIMENTAL INVESTIGATION MECHANISM ANOMALOUS HALL EFFECT OF n-Ge ABOVE ROOM TEMPERATURE

XING XU
cstr: 32037.14.aps.39.614
PDF
导出引用
  • 自常温反常电磁特性发现以来,人们用反型层模型对常温反常Hall效应进行了成功的理论探讨,但至今这种模型还未得到实验的验证。本文将报道我们在这方面的工作。
    Since the discovery of specific anomalous electromagnetic character of n-Ge above room temperature, the inversion layer model has been very successful in theoretical investigation of anomalous Hall effect. However, up to now this model has not been verified experimentally. This paper reports this aspect of work.
计量
  • 文章访问数:  8320
  • PDF下载量:  432
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1989-05-19
  • 刊出日期:  1990-02-05

/

返回文章
返回