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ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光

江风益 潘传康 范广涵 范希武

ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光

江风益, 潘传康, 范广涵, 范希武
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-03-25
  • 刊出日期:  2005-07-03

ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光

  • 1. (1)江西工业大学,南昌,330029; (2)中国科学院长春物理研究所,长春,130021

摘要: 本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。

English Abstract

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