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光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光

许振华 林军 张丽珠 张伯蕊 宗柏青 秦国刚

光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光

许振华, 林军, 张丽珠, 张伯蕊, 宗柏青, 秦国刚
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-01-20
  • 刊出日期:  1994-04-20

光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光

  • 1. (1)北京大学化学系,北京100871; (2)北京大学物理系,北京100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 光照下经H2O2处理的多孔硅其荧光强度随处理时间增加先增强后减弱,处理1min后,荧光强度达极大。未经H2O2处理的多孔硅在空气中激光照射下,其荧光退化很快,经H2O2处理的多孔硅在同样条件下,荧光退化明显变慢。红外吸收实验表明,H2O2处理后多孔硅与氧有关的振动大幅度增强,而各种Si—H键则明显减少。对比红外吸收与荧光强度的变化,

English Abstract

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