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多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

施一生 翁惠民 郭学哲 王晓平 赵特秀 刘宏图

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

施一生, 翁惠民, 郭学哲, 王晓平, 赵特秀, 刘宏图
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-06-16
  • 刊出日期:  1994-05-20

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

  • 1. (1)江苏盐城师范专科学校物理系; (2)中国科学技术大学近代物理系; (3)中国科学技术大学物理系

摘要: 利用多层溅射技术制备了WSix/Si薄膜,然后测量其平面电阻的退火行为,发现平面电阻在600-700℃之间退火后有陡降,这对应于非晶WSix薄膜中W5Si3四角相的形成。x射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化,它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。

English Abstract

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