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GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究

徐敏 朱兴国 张明 董国胜 金晓峰

GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究

徐敏, 朱兴国, 张明, 董国胜, 金晓峰
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  • 利用x射线光电子能谱的深度剖面技术,对不同衬底温度下分子束外延生长的Mn薄膜及其与GaAs(001)衬底间的界面进行了元素组分和化学结合状态随深度变化的研究。实验发现衬底温度等于400K时制备的fcc-Mn/GaAs(001)体系中,fcc-Mn层与GaAs衬底之间存在一层较厚的Mn-Ga-As的缓冲层;衬底温度等于300K(室温)时制备的a-Mn/GaAs(001)体系中也存在类似的缓冲层,但它的厚度与fcc-Mn的情形相比要小得多;而当衬底温度等于450K时制备的体系在GaAs衬底之上全部是Mn-Ga
    • 基金项目: 国家自然科学基金资助的课题
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-04-03
  • 刊出日期:  1996-07-20

GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究

  • 1. (1)复旦大学李政道物理学综合实验室,应用表面物理国家重点实验室,上海200433; (2)浙江工业大学基础部,杭州310014
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 利用x射线光电子能谱的深度剖面技术,对不同衬底温度下分子束外延生长的Mn薄膜及其与GaAs(001)衬底间的界面进行了元素组分和化学结合状态随深度变化的研究。实验发现衬底温度等于400K时制备的fcc-Mn/GaAs(001)体系中,fcc-Mn层与GaAs衬底之间存在一层较厚的Mn-Ga-As的缓冲层;衬底温度等于300K(室温)时制备的a-Mn/GaAs(001)体系中也存在类似的缓冲层,但它的厚度与fcc-Mn的情形相比要小得多;而当衬底温度等于450K时制备的体系在GaAs衬底之上全部是Mn-Ga

English Abstract

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