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BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用

郑振华 陈羽 缪容之

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用

郑振华, 陈羽, 缪容之
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-01-23
  • 刊出日期:  1996-09-20

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用

  • 1. 宁波大学物理系
    基金项目: 

    浙江省教育委员会资助的课题.

摘要: 对作者提出的晶界势垒模型作定量分析.由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡的有关现象;由此对BaTiO3半导体陶瓷边界层电容器和PTC电阻器的性能作出了设计,设计值明显优于目前的实验值;对提高器件性能的方法作了探讨,提出了相应的措施.本文的结果为BaTiO3半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础

English Abstract

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