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分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

桂永胜 郑国珍 褚君浩 郭少令 汤定元

分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

桂永胜, 郑国珍, 褚君浩, 郭少令, 汤定元
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-10-08
  • 刊出日期:  1997-08-20

分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

  • 1. 中国科学院红外物理国家重点实验室

摘要: 采用迁移率谱和多电子拟合过程相结合的混合电导分析法,对分子束外延(MBE)生长的Hg1-xCdxTe材料的变磁场实验数据进行了处理.该方法可以将外延层中体电子对电导的贡献与界面电子的贡献区分开,通过对不同温度下变磁场数据的分析,表明该方法是准确和可靠的,可以成为一种半导体材料和器件的常规电学测试和分析手段

English Abstract

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