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赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

陈张海 胡灿明 史国良 刘普霖 沈学础 陈建新 李爱珍

赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

陈张海, 胡灿明, 史国良, 刘普霖, 沈学础, 陈建新, 李爱珍
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-07-02
  • 修回日期:  1997-08-19
  • 刊出日期:  1998-06-20

赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.

English Abstract

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