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电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

徐 征 徐叙 娄志东 徐春祥 于 磊 滕 枫

电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

徐 征, 徐叙, 娄志东, 徐春祥, 于 磊, 滕 枫
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-01-22
  • 修回日期:  1997-04-04
  • 刊出日期:  1998-01-20

电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

  • 1. (1)北方交通大学物理系,北京 100044; (2)北方交通大学物理系,北京 100044;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室,长春 130021; (3)天津理工学院材料物理研究所,天津 300191
    基金项目: 

    国家自然科学基金及天津市21世纪青年基金资助的课题.

摘要: 根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中,电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导;而在导带扩展态中,电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外,以实验数据为基础,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度.

English Abstract

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