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分子动力学模拟研究熔态硅的局部结构

周正有 王铁兵 程兆年

分子动力学模拟研究熔态硅的局部结构

周正有, 王铁兵, 程兆年
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-08-31
  • 修回日期:  1999-03-09
  • 刊出日期:  1999-12-20

分子动力学模拟研究熔态硅的局部结构

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19334022)资助的课题.

摘要: 采用Tersoff势,修正试用不同的粒子间相互作用距离R,S的取值,进行了液态硅的分子动力学模拟.模拟的结果表明,修正Tersoff势下得到的径向分布函数能与X射线衍射、中子散射实验相一致.模拟得到在液态硅中,Si的配位数为6.9,键长为0.254nm.分子动力学模拟表明,液态硅中Si原子间联接成一种网络状结构,但大多数Si原子与其近邻Si原子仍保持近似于正四面体的局部构型.键角概率分布出现两个峰值~57°和~102°.通过键序参量分析,得到在液态硅近邻结构中,正四面体构型约占82%,键取向波动方差为5.

English Abstract

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