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BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

张廷庆 刘家璐 李建军 王剑屏 赵元富 胡浴红 张正选 徐娜军

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

张廷庆, 刘家璐, 李建军, 王剑屏, 赵元富, 胡浴红, 张正选, 徐娜军
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-02-02
  • 修回日期:  1999-03-20
  • 刊出日期:  1999-12-20

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071; (2)西安微电子技术研究所,西安 710054; (3)西北核技术研究所,西安 710024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69476022)资助的课题.

摘要: 系统地研究了BF+2注入硅栅P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(PMOSFET)阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF+2注入抗γ辐射加固的机理.结果表明,BF+2注入对硅栅P-channel metal-oxide-semiconductor(PMOS)在γ辐照下引起的阈值电

English Abstract

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