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硅量子点中电子的荷电动力学特征

袁晓利 施 毅 杨红官 卜惠明 吴 军 赵 波 张 荣 郑有钭

硅量子点中电子的荷电动力学特征

袁晓利, 施 毅, 杨红官, 卜惠明, 吴 军, 赵 波, 张 荣, 郑有钭
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-09
  • 修回日期:  2000-04-11
  • 刊出日期:  2000-10-20

硅量子点中电子的荷电动力学特征

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19774033,69706004)和江苏省自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用频率依赖电容谱的测量,对于SiO2/硅量子点/SiO2/硅衬底隧 穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究.由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性,室温下 在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰,它们分别对应于硅 衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程.实验数据分析给出了量 子点中的库仑荷电能,并进行了讨论.

English Abstract

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