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微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

胡颖

微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

胡颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-20
  • 修回日期:  2001-07-05
  • 刊出日期:  2001-12-20

微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

  • 1. 首都师范大学物理系,北京100037
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号:2982011)资助的课题.

摘要: 应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理

English Abstract

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