搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

朱天伟 张元常 徐 波 刘峰奇 王占国

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

朱天伟, 张元常, 徐 波, 刘峰奇, 王占国
PDF
导出引用
  • 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用,同时切断了载流子的
    • 基金项目: 国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303)、国家自然科学基金(批准号:6007 6024,90101002,90201033)、国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)和中国科 学院知识创新重大项目(批准号:KJCX1-06-06)资助的课题.
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3598
  • PDF下载量:  822
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-14
  • 修回日期:  2002-12-30
  • 刊出日期:  2003-04-05

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303)、国家自然科学基金(批准号:6007 6024,90101002,90201033)、国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)和中国科 学院知识创新重大项目(批准号:KJCX1-06-06)资助的课题.

摘要: 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用,同时切断了载流子的

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回