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InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

徐刚毅 李爱珍

InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

徐刚毅, 李爱珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-12-26
  • 修回日期:  2003-04-14
  • 刊出日期:  2004-01-15

InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家“863”高技术发展计划(批准号:2001AA311150)和国家自然科学重点基金(批准号:60136010)资助的课题.

摘要: 系统地研究了波长为2.7μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计.分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱.研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元,而是粒子数反转程度,尤其是空穴填充HH1子带的概率.增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益.前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量;后者拉大了价带子带间距,尽管它同时略微增加了空穴有效质量.这两种因素都导致价带顶空穴态

English Abstract

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