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微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

吴太权

微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

吴太权
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  • 利用第一性原理研究了微锗掺杂直拉单晶硅中的锗和微缺陷的相互作用, 其中微缺陷用一个空位、两个空位和三个空位模拟. CASTEP计算了锗与一个空位、两个空位和三个空位相互作用的情况, 通过分析三种情况下锗与空位(或空位组中心)的间距及空位面积(或体积)的大小, 分别给出了三种情况下最稳定的锗-空位复合体结构模型. 计算表明在微锗掺杂硅单晶中由于锗的引入, 空位容易团聚在锗原子附近, 形成锗-空位复合体.
      通信作者: 吴太权, buckyballling@hotmail.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10904134,10802083)和浙江省创新团队基金(批准号:2009R50005)资助的课题.
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    Ryuta J, Morita E, Tanaka T, Shimanuki Y 1990 Jpn. J. Appl. Phys. 29 L1947

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-30
  • 修回日期:  2011-07-30
  • 刊出日期:  2012-03-05

微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10904134,10802083)和浙江省创新团队基金(批准号:2009R50005)资助的课题.

摘要: 利用第一性原理研究了微锗掺杂直拉单晶硅中的锗和微缺陷的相互作用, 其中微缺陷用一个空位、两个空位和三个空位模拟. CASTEP计算了锗与一个空位、两个空位和三个空位相互作用的情况, 通过分析三种情况下锗与空位(或空位组中心)的间距及空位面积(或体积)的大小, 分别给出了三种情况下最稳定的锗-空位复合体结构模型. 计算表明在微锗掺杂硅单晶中由于锗的引入, 空位容易团聚在锗原子附近, 形成锗-空位复合体.

English Abstract

参考文献 (21)

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