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PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

于遥 张晶思 陈黛黛 郭睿倩 谷至华

PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

于遥, 张晶思, 陈黛黛, 郭睿倩, 谷至华
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  • 为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管 (a-Si:H TFT) 的场效应电子迁移率, 研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层 制备, 不同的工艺参数对a-Si:H TFT场效应电子迁移率的影响. 研究表明随着对欧姆接触层 (n+层) 分层数的增加, 以及低速生长的栅极绝缘层 (GL层) 和高速生长的栅极绝缘层 (GH 层) 厚度比值提高, a-Si:H TFT的场效应迁移率得到提升. 当n+层分层数达到 3层, GL层和GH层厚度比值为4:11 时, 器件的场效应电子迁移率达到0.66 cm2/V·s, 比传统工艺提高了约一倍, 显著改善了a-Si:H TFT 的电学特性, 并在量产线上得到了验证.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-08
  • 修回日期:  2013-04-29
  • 刊出日期:  2013-07-05

PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

  • 1. 复旦大学先进材料实验室, 平板显示中心, 上海 200433;
  • 2. 中航技显示公司, 上海 201100

摘要: 为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管 (a-Si:H TFT) 的场效应电子迁移率, 研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层 制备, 不同的工艺参数对a-Si:H TFT场效应电子迁移率的影响. 研究表明随着对欧姆接触层 (n+层) 分层数的增加, 以及低速生长的栅极绝缘层 (GL层) 和高速生长的栅极绝缘层 (GH 层) 厚度比值提高, a-Si:H TFT的场效应迁移率得到提升. 当n+层分层数达到 3层, GL层和GH层厚度比值为4:11 时, 器件的场效应电子迁移率达到0.66 cm2/V·s, 比传统工艺提高了约一倍, 显著改善了a-Si:H TFT 的电学特性, 并在量产线上得到了验证.

English Abstract

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