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单层SbAs和BiSb的表面修饰调控

袁俊辉 谢晴兴 余念念 王嘉赋

单层SbAs和BiSb的表面修饰调控

袁俊辉, 谢晴兴, 余念念, 王嘉赋
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-05-28
  • 修回日期:  2016-07-14
  • 刊出日期:  2016-11-05

单层SbAs和BiSb的表面修饰调控

    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11504281)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2016-zy-067)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了V族二维层状材料SbAs和BiSb在全氢化和全氟化后体系的晶体结构、稳定性和电子结构.计算结果表明,全氢化后SbAs和BiSb由buckled结构转变为准平面结构,而全氟化后则转变为low-buckled结构.同时,本征、全氢化和全氟化的SbAs和BiSb均具有很好的稳定性,具备实验合成的可能性.电子结构的分析表明,全氢化和全氟化后SbAs和BiSb均由宽带隙半导体转变为窄带隙的直隙半导体,且其能带结构仍具有很好的线性色散.通过对准平面和low-buckled结构SbAs和BiSb电子结构的进一步分析,揭示了全氢化和全氟化后体系能带变化的原因.在h-BN衬底上的计算结果显示,由于两者间的弱耦合作用,使得全氢化和全氟化SbAs的直隙半导体特征得以保留,表明其在未来光电子设备等领域中具有广泛的应用前景.

English Abstract

参考文献 (28)

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