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氧空穴导致二氧化钒低温相带隙变窄

顾艳妮 吴小山

氧空穴导致二氧化钒低温相带隙变窄

顾艳妮, 吴小山
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  • 具有一定能量的光照导致低温绝缘二氧化钒(VO2)发生绝缘体金属转变.本文通过密度泛函理论的Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函方法对含氧空穴的低温绝缘VO2非磁M1相进行第一性原理研究.研究发现,含氧空穴的M1的晶格参数几乎不变,但氧空穴附近的长的VV键长却变短了.进一步研究发现,尽管纯的非磁M1的带隙是0.68 eV,但含O1和O2位的氧空穴非磁M1带隙分别为0.23 eV和0.20 eV,同时含有O1和O2位氧空穴非磁M1带隙为0.15 eV,这很好地解释了实验结果.
      通信作者: 吴小山, xswu@nju.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金批准号(批准号:U1332205,11274153,10974081,10979017)和江苏科技大学博士科研启动项目(批准号:JKD120114001)资助的课题.
    [1]

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出版历程
  • 收稿日期:  2017-01-16
  • 修回日期:  2017-06-11
  • 刊出日期:  2017-08-20

氧空穴导致二氧化钒低温相带隙变窄

  • 1. 江苏科技大学张家港校区, 张家港 215600;
  • 2. 南京大学物理学院, 固体微结构国家实验室, 南京 210093
  • 通信作者: 吴小山, xswu@nju.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金批准号(批准号:U1332205,11274153,10974081,10979017)和江苏科技大学博士科研启动项目(批准号:JKD120114001)资助的课题.

摘要: 具有一定能量的光照导致低温绝缘二氧化钒(VO2)发生绝缘体金属转变.本文通过密度泛函理论的Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函方法对含氧空穴的低温绝缘VO2非磁M1相进行第一性原理研究.研究发现,含氧空穴的M1的晶格参数几乎不变,但氧空穴附近的长的VV键长却变短了.进一步研究发现,尽管纯的非磁M1的带隙是0.68 eV,但含O1和O2位的氧空穴非磁M1带隙分别为0.23 eV和0.20 eV,同时含有O1和O2位氧空穴非磁M1带隙为0.15 eV,这很好地解释了实验结果.

English Abstract

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