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晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

任舰 苏丽娜 李文佳

晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

任舰, 苏丽娜, 李文佳
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-05-29
  • 修回日期:  2018-11-01

晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

  • 淮阴师范学院物联网工程系, 淮安 223600
    基金项目: 

    江苏省高校自然科学研究项目(批准号:17KJB510007,17KJB535001)资助的课题.

摘要: 制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.

English Abstract

参考文献 (18)

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