搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究

卢超 陈伟 罗尹虹 丁李利 王勋 赵雯 郭晓强 李赛

纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究

卢超, 陈伟, 罗尹虹, 丁李利, 王勋, 赵雯, 郭晓强, 李赛
PDF
导出引用
导出核心图
  • 体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)是晶体管尺寸缩小到30 nm以下应用最多的结构,其单粒子瞬态产生机理值得关注。利用脉冲激光单粒子效应模拟平台开展了栅长30、40、60、100 nm FinFET器件的单粒子瞬态实验,研究FinFET器件单粒子瞬态电流脉冲波形随栅长变化情况;利用计算机辅助设计(technology computer-aided design, TCAD)软件仿真比较电流脉冲产生过程中器件内部电子浓度和电势变化,研究漏电流脉冲波形产生的物理机理。研究表明,不同栅长FinFET器件瞬态电流脉冲尾部都存在明显的平台区,且平台区电流值随着栅长变短而增大;入射激光在器件沟道区下方体区产生高浓度电子将源漏导通产生导通电流,而源漏导通升高了体区电势,抑制体区高浓度电子扩散,使得导通状态维持时间长,形成平台区电流;尾部平台区由于持续时间长,收集电荷量大,会严重影响器件工作状态和性能。研究结论为纳米FinFET器件抗辐射加固提供理论支撑。
      通信作者: 陈伟, chenwei6802@163.com
    • 基金项目: 国家级-国家自然科学基金重大项目(11690043)
  • [1] 张战刚, 雷志锋, 童腾, 李晓辉, 王松林, 梁天骄, 习凯, 彭超, 何玉娟, 黄云, 恩云飞. 14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比. 物理学报, doi: 10.7498/aps.69.20191209
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  32
  • PDF下载量:  0
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2019-12-15

纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究

  • 1. 清华大学
  • 2. 西北核技术研究所
  • 3. 西北核技术研究院
  • 4. 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
  • 5. 中国科学院国家空间科学中心
  • 通信作者: 陈伟, chenwei6802@163.com
    基金项目: 国家级-国家自然科学基金重大项目(11690043)

摘要: 体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)是晶体管尺寸缩小到30 nm以下应用最多的结构,其单粒子瞬态产生机理值得关注。利用脉冲激光单粒子效应模拟平台开展了栅长30、40、60、100 nm FinFET器件的单粒子瞬态实验,研究FinFET器件单粒子瞬态电流脉冲波形随栅长变化情况;利用计算机辅助设计(technology computer-aided design, TCAD)软件仿真比较电流脉冲产生过程中器件内部电子浓度和电势变化,研究漏电流脉冲波形产生的物理机理。研究表明,不同栅长FinFET器件瞬态电流脉冲尾部都存在明显的平台区,且平台区电流值随着栅长变短而增大;入射激光在器件沟道区下方体区产生高浓度电子将源漏导通产生导通电流,而源漏导通升高了体区电势,抑制体区高浓度电子扩散,使得导通状态维持时间长,形成平台区电流;尾部平台区由于持续时间长,收集电荷量大,会严重影响器件工作状态和性能。研究结论为纳米FinFET器件抗辐射加固提供理论支撑。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回