搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜在高热稳定性和低功耗相变存储器中的应用

朱小芹 胡益丰

Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜在高热稳定性和低功耗相变存储器中的应用

朱小芹, 胡益丰, 等
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  56
  • PDF下载量:  9
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2020-04-06

Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜在高热稳定性和低功耗相变存储器中的应用

  • 1. 江苏理工学院数理学院
  • 2. 江苏理工学院
    基金项目: 国家级-国家自然科学基金(11974008)

摘要: 采用磁控溅射方法制备了Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜。研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能。通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜的截面多层结构。制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)]5多层复合薄膜的相变存储器件,并测试了其电性能。研究表明,Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力,其器件具有较快的转变速度和较低的操作功耗。Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜是一种潜在的高热稳定性和低功耗的相变存储材料。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回