1984年 33卷 第11期
1984, 33(11): 1485-1494.
doi: 10.7498/aps.33.1485
摘要:
在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约102?)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P;反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面态的存在而有所改变,并且随外加电压而变化;正向偏置时,界面层的影响可以用理想因子n来描述。经过上述修正后推得的理论I-V,I-1/T关系式(表1)与实测曲线符合较好。文中讨论了透射系数与有效势垒高度提高的关系。
在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约102?)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P;反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面态的存在而有所改变,并且随外加电压而变化;正向偏置时,界面层的影响可以用理想因子n来描述。经过上述修正后推得的理论I-V,I-1/T关系式(表1)与实测曲线符合较好。文中讨论了透射系数与有效势垒高度提高的关系。
1984, 33(11): 1501-1511.
doi: 10.7498/aps.33.1501
摘要:
本文讨论了利用赝势理论,按照Born稳定性判据,计算简单金属理论强度的方法。然后计算了六种简单金属(Li,Na,K,Rb,Cs和Pb)在0K和[100]单轴应力下的理论拉伸与压缩强度。
本文讨论了利用赝势理论,按照Born稳定性判据,计算简单金属理论强度的方法。然后计算了六种简单金属(Li,Na,K,Rb,Cs和Pb)在0K和[100]单轴应力下的理论拉伸与压缩强度。
1984, 33(11): 1512-1519.
doi: 10.7498/aps.33.1512
摘要:
基于快放电(毫微秒)XeCl激光器电极两端电压和电流的精确测量和计算机分析,给出高气压(3—8大气压力)激光放电等离子体的动态阻抗特性。在几毫微秒内,阻抗降到欧姆量级。研究了放电峰值电流和平均阻抗与充电电压和气体压力的关系。结果显示,放电等离子体阻抗与传输线阻抗精确匹配并不是十分重要和实际的。
基于快放电(毫微秒)XeCl激光器电极两端电压和电流的精确测量和计算机分析,给出高气压(3—8大气压力)激光放电等离子体的动态阻抗特性。在几毫微秒内,阻抗降到欧姆量级。研究了放电峰值电流和平均阻抗与充电电压和气体压力的关系。结果显示,放电等离子体阻抗与传输线阻抗精确匹配并不是十分重要和实际的。
1984, 33(11): 1520-1528.
doi: 10.7498/aps.33.1520
摘要:
本文严格处理了准简并二能级系统中时间分辨简并四波混频问题。指出在这种简并四波混频中同样可能存在量子拍频效应。分析了这种量子拍频效应的产生条件和特点。讨论了可能的应用。
本文严格处理了准简并二能级系统中时间分辨简并四波混频问题。指出在这种简并四波混频中同样可能存在量子拍频效应。分析了这种量子拍频效应的产生条件和特点。讨论了可能的应用。
1984, 33(11): 1529-1537.
doi: 10.7498/aps.33.1529
摘要:
在均匀电场中,用高能激光脉冲释放初始电子以研究负电性气体的电子崩的发展,决定预放电过程的基本参数(游离系数α,吸附系数η和漂移速度v等)是一个有用的方法,本文对此方法做了详细的分析。采用这种方法对SF6-CO2混合气体做了研究,获得了108个以上的初始电子及其分布,并给出了α/P,η/P和ν与E/P(E=电场强度,P=气体压力)的关系。本文还对所用的测量系统做了讨论,提出了改进办法。
在均匀电场中,用高能激光脉冲释放初始电子以研究负电性气体的电子崩的发展,决定预放电过程的基本参数(游离系数α,吸附系数η和漂移速度v等)是一个有用的方法,本文对此方法做了详细的分析。采用这种方法对SF6-CO2混合气体做了研究,获得了108个以上的初始电子及其分布,并给出了α/P,η/P和ν与E/P(E=电场强度,P=气体压力)的关系。本文还对所用的测量系统做了讨论,提出了改进办法。
1984, 33(11): 1538-1545.
doi: 10.7498/aps.33.1538
摘要:
本文中利用在基波(35GHz)或二次谐波(70GHz)混频工作的等离子体微波辐射(PME)测量仪,进行了CT-6B托卡马克装置等离子体电子迴旋辐射的实验。实验结果表明:当装置低逃逸放电时,二次谐波混频接收到的信号是与电子温度有关的热辐射信号。装置逃逸放电时,基波混频接收到的信号是与逃逸电子行为有关的非热辐射信号。
本文中利用在基波(35GHz)或二次谐波(70GHz)混频工作的等离子体微波辐射(PME)测量仪,进行了CT-6B托卡马克装置等离子体电子迴旋辐射的实验。实验结果表明:当装置低逃逸放电时,二次谐波混频接收到的信号是与电子温度有关的热辐射信号。装置逃逸放电时,基波混频接收到的信号是与逃逸电子行为有关的非热辐射信号。
1984, 33(11): 1546-1555.
doi: 10.7498/aps.33.1546
摘要:
本文导出了可用于研究含第二稳定区的环流器微观气球模的本征方程,其中保留了各种最重要的动力效应。对圆截面环流器,相应的本征方程中保留了对第二稳定区中模的特性有重大影响的磁面位移效应及极向场曲率效应。采用数值打靶法求解本征方程,详细分析了各种位形参数对模的结构及稳定性的影响。与理想磁流体理论结果对比,发现在第二稳定区参数范围内,存在一类新的弱不稳定模式。此外,在各种参数范围内都存在临界稳定模式。详细考察了这些模式的存在形式及结构,以及剪切和极向场参数对它们的影响。
本文导出了可用于研究含第二稳定区的环流器微观气球模的本征方程,其中保留了各种最重要的动力效应。对圆截面环流器,相应的本征方程中保留了对第二稳定区中模的特性有重大影响的磁面位移效应及极向场曲率效应。采用数值打靶法求解本征方程,详细分析了各种位形参数对模的结构及稳定性的影响。与理想磁流体理论结果对比,发现在第二稳定区参数范围内,存在一类新的弱不稳定模式。此外,在各种参数范围内都存在临界稳定模式。详细考察了这些模式的存在形式及结构,以及剪切和极向场参数对它们的影响。
1984, 33(11): 1556-1562.
doi: 10.7498/aps.33.1556
摘要:
在-170-100℃的温度范围内,研究了室温快离子导体Rb4Cu16I7Cl13的电导率和热容随温度的变化,结果表明该材料在-50℃和-107℃附近各有一个二级相变存在。
在-170-100℃的温度范围内,研究了室温快离子导体Rb4Cu16I7Cl13的电导率和热容随温度的变化,结果表明该材料在-50℃和-107℃附近各有一个二级相变存在。
1984, 33(11): 1563-1568.
doi: 10.7498/aps.33.1563
摘要:
经过人工极化的铁电陶瓷中存在的同极性和异极性电荷导致热电弛豫效应。观察到唯象理论所给出的三种类型的弛豫过程。由于同极或异极性电荷的激发需要能量,故当陶瓷的温度发生变化相当长时间之后,热释电荷按ΔQ(t)=(1+r±e(-(α±t)1/2)ΔQ∞缓慢地衰减。曾经测量过的数十种陶瓷的所有实验数据都和理论很好地一致。
经过人工极化的铁电陶瓷中存在的同极性和异极性电荷导致热电弛豫效应。观察到唯象理论所给出的三种类型的弛豫过程。由于同极或异极性电荷的激发需要能量,故当陶瓷的温度发生变化相当长时间之后,热释电荷按ΔQ(t)=(1+r±e(-(α±t)1/2)ΔQ∞缓慢地衰减。曾经测量过的数十种陶瓷的所有实验数据都和理论很好地一致。
1984, 33(11): 1569-1580.
doi: 10.7498/aps.33.1569
摘要:
本文采用经典禁闭场论的方法,利用一个特殊的口袋模型导出了计及胶子质量效应后的重夸克偶素长程势,从而得到一个新的有效位势:Veff=-4/3αs(e-μr)/r +(gv+gs)r(th((μr)/2)/((μr)/2))1/2+V0。从这一位势模型出发,推导了Breit-Fermi项。并通过数值解薛定谔方程,利用多因素优选法,分别对μ=0.2GeV,μ=
本文采用经典禁闭场论的方法,利用一个特殊的口袋模型导出了计及胶子质量效应后的重夸克偶素长程势,从而得到一个新的有效位势:Veff=-4/3αs(e-μr)/r +(gv+gs)r(th((μr)/2)/((μr)/2))1/2+V0。从这一位势模型出发,推导了Breit-Fermi项。并通过数值解薛定谔方程,利用多因素优选法,分别对μ=0.2GeV,μ=
1984, 33(11): 1581-1585.
doi: 10.7498/aps.33.1581
摘要:
我们在一台有0.4nm点分辨率的分析透射电子显微镜上,结合会聚束电子衍射(CBED)和高分辨电子显微术(HREM)研究了十四铌酸锂的结构。CBED结果证明十四铌酸锂的空间群是C2/m,HREM结构象表明十四铌酸锂是由4×4氧八面体方块组成,方块中3×3通道及八面体中心的金属原子可以清楚地看到,其距离是0.38nm。结合CBED和HREM来做结构分析是发展电子晶体学的重要的一步。
我们在一台有0.4nm点分辨率的分析透射电子显微镜上,结合会聚束电子衍射(CBED)和高分辨电子显微术(HREM)研究了十四铌酸锂的结构。CBED结果证明十四铌酸锂的空间群是C2/m,HREM结构象表明十四铌酸锂是由4×4氧八面体方块组成,方块中3×3通道及八面体中心的金属原子可以清楚地看到,其距离是0.38nm。结合CBED和HREM来做结构分析是发展电子晶体学的重要的一步。
1984, 33(11): 1586-1588.
doi: 10.7498/aps.33.1586
摘要:
用会聚束电子衍射图中显现的动力学消光线,测定了三铌酸锂的空间群。结果表明,三铌酸锂有一2次螺旋轴和一垂直它的滑移面,从而空间群是P21/a。同时得出点阵参数a=1.545nm,b=0.503nm,c=0.753nm,β=107°。
用会聚束电子衍射图中显现的动力学消光线,测定了三铌酸锂的空间群。结果表明,三铌酸锂有一2次螺旋轴和一垂直它的滑移面,从而空间群是P21/a。同时得出点阵参数a=1.545nm,b=0.503nm,c=0.753nm,β=107°。
1984, 33(11): 1589-1592.
doi: 10.7498/aps.33.1589
摘要:
本文用全Wigner函数导出含有两个参数的跃迁几率分布函数,解释了Jonscher的电介质损耗经验公式,改进了Ngai电介质损耗理论。
本文用全Wigner函数导出含有两个参数的跃迁几率分布函数,解释了Jonscher的电介质损耗经验公式,改进了Ngai电介质损耗理论。
1984, 33(11): 1593-1598.
doi: 10.7498/aps.33.1593
摘要:
本文介绍Fe:LiNbO3晶体在波长为6328?的低功率激光下的简并四波混频(DFWM)现象。给出了在不同泵浦功率下,共轭波强度随照射时间变化的实验曲线。验证了共轭波的位相补偿特性,并利用该特性校正了位相畸变的图象,得到了与理论相一致的实验结果。
本文介绍Fe:LiNbO3晶体在波长为6328?的低功率激光下的简并四波混频(DFWM)现象。给出了在不同泵浦功率下,共轭波强度随照射时间变化的实验曲线。验证了共轭波的位相补偿特性,并利用该特性校正了位相畸变的图象,得到了与理论相一致的实验结果。
1984, 33(11): 1599-1604.
doi: 10.7498/aps.33.1599
摘要:
利用扫描曝光法制备的单个元件实现了二维相干光Walsh变换。其特点是能量利用率高、光路简单。文中给出了原理及实验结果。
利用扫描曝光法制备的单个元件实现了二维相干光Walsh变换。其特点是能量利用率高、光路简单。文中给出了原理及实验结果。
1984, 33(11): 1605-1609.
doi: 10.7498/aps.33.1605
摘要:
本文描述一种通过极化原子束的磁偏转实现同位素和同质异能素浓缩的新方法。用具有不同频率和偏振的激光进行选择性光抽运,使束中两同位素的原子分别反向高度极化,然后使这些反向极化的原子在经过自旋选态磁铁后沿不同方向偏转,从而实现同位素浓缩。推算了此法的选择性和产量,与其他方法相比,讨论了其优缺点和可能的应用前景。提出了用锂或钾进行实验的方案。
本文描述一种通过极化原子束的磁偏转实现同位素和同质异能素浓缩的新方法。用具有不同频率和偏振的激光进行选择性光抽运,使束中两同位素的原子分别反向高度极化,然后使这些反向极化的原子在经过自旋选态磁铁后沿不同方向偏转,从而实现同位素浓缩。推算了此法的选择性和产量,与其他方法相比,讨论了其优缺点和可能的应用前景。提出了用锂或钾进行实验的方案。
1984, 33(11): 1610-1618.
doi: 10.7498/aps.33.1610
摘要:
本文在四层不对称波导的归一化电场方程和本征方程基础上,导出了归一化有效折射b表达式和限制因子Γx等的近似关系式,并提出了不对称近场和远场高斯分布的近似表达式。应用上述分析,研究了四层不对称波导的动态特性。文中导出了注入载流子分布,增益分布的解析表达式,可方便地计算模增益,阈值电流密度,最佳有源区厚度和最佳阈值电流密度。并进一步研究了结构参数对器件的影响。
本文在四层不对称波导的归一化电场方程和本征方程基础上,导出了归一化有效折射b表达式和限制因子Γx等的近似关系式,并提出了不对称近场和远场高斯分布的近似表达式。应用上述分析,研究了四层不对称波导的动态特性。文中导出了注入载流子分布,增益分布的解析表达式,可方便地计算模增益,阈值电流密度,最佳有源区厚度和最佳阈值电流密度。并进一步研究了结构参数对器件的影响。
1984, 33(11): 1619-1623.
doi: 10.7498/aps.33.1619
摘要:
本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。
本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。
1984, 33(11): 1624-1628.
doi: 10.7498/aps.33.1624
摘要:
本文测定了3Cu(IO3)2·2H2O球晶的电子吸收光谱,吸收峰位于9140cm-1和15250cm-1。首次观察到了高达6110cm-1的低对称晶场分裂。吸收曲线经Gauss分解可得到八个Gauss型吸收峰,分别位于8590,10690,10870,12190,13500,14510,15330和16500cm-1。测量其EPR谱可得g=2.141±0
本文测定了3Cu(IO3)2·2H2O球晶的电子吸收光谱,吸收峰位于9140cm-1和15250cm-1。首次观察到了高达6110cm-1的低对称晶场分裂。吸收曲线经Gauss分解可得到八个Gauss型吸收峰,分别位于8590,10690,10870,12190,13500,14510,15330和16500cm-1。测量其EPR谱可得g=2.141±0
