1986年 35卷 第5期
1986, 35(5): 561-569.
doi: 10.7498/aps.35.561
摘要:
本文解出了真实的双桥结SQUID的平均电压-磁场关系,算出了在给定磁场下瞬时电压随时间的变化,理论给出V-t关系既不是等周期的,且V(t)的幅值也不是常量,同时对瞬时电压过程予以物理上的解释。
本文解出了真实的双桥结SQUID的平均电压-磁场关系,算出了在给定磁场下瞬时电压随时间的变化,理论给出V-t关系既不是等周期的,且V(t)的幅值也不是常量,同时对瞬时电压过程予以物理上的解释。
1986, 35(5): 570-576.
doi: 10.7498/aps.35.570
摘要:
本文叙述对Nb3Sn扩散薄膜的一项包括高场临界电流机制,合金元素作用机制等内容在内的综合性实验研究。
本文叙述对Nb3Sn扩散薄膜的一项包括高场临界电流机制,合金元素作用机制等内容在内的综合性实验研究。
1986, 35(5): 577-582.
doi: 10.7498/aps.35.577
摘要:
本文报道了在非晶态合金La72Si28晶化过程中生成新亚稳超导相的实验结果。非晶态合金La72Si28是用液态急冷法制备的,该合金经250℃,30min热处理后,得到了一个新的亚稳超导相,该相具有正交结构,其晶格参数为a=9.121?,b=6.821?,c=3.833?,超导临界温度Tc为3.02K,高于目前已知的La-Si系超导相的Tc值。
本文报道了在非晶态合金La72Si28晶化过程中生成新亚稳超导相的实验结果。非晶态合金La72Si28是用液态急冷法制备的,该合金经250℃,30min热处理后,得到了一个新的亚稳超导相,该相具有正交结构,其晶格参数为a=9.121?,b=6.821?,c=3.833?,超导临界温度Tc为3.02K,高于目前已知的La-Si系超导相的Tc值。
1986, 35(5): 583-589.
doi: 10.7498/aps.35.583
摘要:
本文报道Fe100-xBx,Fe87-xSixB13,(Fe1-xCox)78Si9.5B12.5,(Fe1-xMx)80-84B16-20(M=Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn)非晶态合金的
本文报道Fe100-xBx,Fe87-xSixB13,(Fe1-xCox)78Si9.5B12.5,(Fe1-xMx)80-84B16-20(M=Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn)非晶态合金的
1986, 35(5): 590-597.
doi: 10.7498/aps.35.590
摘要:
本文研究了某些分子振动中存在的一些偶然简并的原因,指出在一个扩大了的交换点群W下,这种偶然简并变成自然简并,并提出了处理这种非幺正对称群的方法。
本文研究了某些分子振动中存在的一些偶然简并的原因,指出在一个扩大了的交换点群W下,这种偶然简并变成自然简并,并提出了处理这种非幺正对称群的方法。
1986, 35(5): 598-604.
doi: 10.7498/aps.35.598
摘要:
本文求解了在相关基函数理论框架下得到的实空间关联函数的积分方程,得到了金属铝(rs=2.07)和铯(rs=5.65)的关联函数,关联能和多体波函数。改进了其它多体理论,本文得到的关联函数是恒正的,并且满足归一化条件。
本文求解了在相关基函数理论框架下得到的实空间关联函数的积分方程,得到了金属铝(rs=2.07)和铯(rs=5.65)的关联函数,关联能和多体波函数。改进了其它多体理论,本文得到的关联函数是恒正的,并且满足归一化条件。
1986, 35(5): 605-614.
doi: 10.7498/aps.35.605
摘要:
制备了扩散相转变铁电陶瓷系列(Ba1-xLax)(Ti1-yZry)O3和扩散-非扩散相变铁电单晶系列K0.2Na0.2(SrpBa1-p)0.8Nb2O6。陶瓷采用一般铁电陶瓷制备工艺,单晶采用提拉法生长。测量了所有样品在-50—100℃范围内
制备了扩散相转变铁电陶瓷系列(Ba1-xLax)(Ti1-yZry)O3和扩散-非扩散相变铁电单晶系列K0.2Na0.2(SrpBa1-p)0.8Nb2O6。陶瓷采用一般铁电陶瓷制备工艺,单晶采用提拉法生长。测量了所有样品在-50—100℃范围内
1986, 35(5): 615-622.
doi: 10.7498/aps.35.615
摘要:
在Niemi和Semenoff提出的实时有限温度标量场论的基础上,将其推广到规范场的情形,使之适用于闵氏空间的有限温度QCD。利用本文引入的有限温度传播子,计算了高温QCD自由能的二圈修正,结果和Kapusta用欧氏空间场论方法得到的结果一致。
在Niemi和Semenoff提出的实时有限温度标量场论的基础上,将其推广到规范场的情形,使之适用于闵氏空间的有限温度QCD。利用本文引入的有限温度传播子,计算了高温QCD自由能的二圈修正,结果和Kapusta用欧氏空间场论方法得到的结果一致。
1986, 35(5): 623-632.
doi: 10.7498/aps.35.623
摘要:
基于典型非线性ZnO陶瓷(ZnO压敏电阻)的显微形貌,提出了一个直观、简单、定量描述ZnO压敏电阻性能的导电模型。根据此模型,低偏压下,电子主要以热电子发射机理通过SIS异质结和SS均质结(并联);在击穿电压以上,SS均质结是导电活性结,此时,反偏向的势垒层由耗尽层变为强反型层,势垒顶部变薄,使隧穿电子流随增,因而产生非线性导电;高偏压下,导电是受ZnO颗粒的阻值所控制。
基于典型非线性ZnO陶瓷(ZnO压敏电阻)的显微形貌,提出了一个直观、简单、定量描述ZnO压敏电阻性能的导电模型。根据此模型,低偏压下,电子主要以热电子发射机理通过SIS异质结和SS均质结(并联);在击穿电压以上,SS均质结是导电活性结,此时,反偏向的势垒层由耗尽层变为强反型层,势垒顶部变薄,使隧穿电子流随增,因而产生非线性导电;高偏压下,导电是受ZnO颗粒的阻值所控制。
1986, 35(5): 633-637.
doi: 10.7498/aps.35.633
摘要:
对文献[1]中提出的导电模型进行了定量处理。该模型能解释ZnO压敏电阻的V-l曲线、C-V(偏压、DC)曲线、退化现象等。更重要的是它还能预言颗粒-颗粒结的显微结构参数、电性能参数对压敏电阻电性能的影响规律,为压敏电阻材料设计提供了理论依据。
对文献[1]中提出的导电模型进行了定量处理。该模型能解释ZnO压敏电阻的V-l曲线、C-V(偏压、DC)曲线、退化现象等。更重要的是它还能预言颗粒-颗粒结的显微结构参数、电性能参数对压敏电阻电性能的影响规律,为压敏电阻材料设计提供了理论依据。
1986, 35(5): 638-642.
doi: 10.7498/aps.35.638
摘要:
用12MeV电子辐照硅p+n结,在硅中除引入氧空位E1(Ec-0.19eV),双空位E2(Ec-0.24eV)和E4(Ec-0.44eV)外,还引入缺陷E3(Ec-0.37eV)。用DLTS方法和反向恢复时间测量研究了这些能级的退火行为,可以看到,E3的退火温度最高(≈520℃)。由退火特
用12MeV电子辐照硅p+n结,在硅中除引入氧空位E1(Ec-0.19eV),双空位E2(Ec-0.24eV)和E4(Ec-0.44eV)外,还引入缺陷E3(Ec-0.37eV)。用DLTS方法和反向恢复时间测量研究了这些能级的退火行为,可以看到,E3的退火温度最高(≈520℃)。由退火特
1986, 35(5): 643-652.
doi: 10.7498/aps.35.643
摘要:
用中子四圆衍射仪测量了部分氚化的硫酸三甘氨酸的晶体结构。所得结果与TGS做了比较:三个甘氨酸基团之间的距离有所增加,晶胞轴长α,b,c的相对增加量分别为4.7‰,5.0‰,1.9‰;氚占有氢位置的几率,明显地分成两类:与碳相联系的氢位置的占有几率为O;其它氢位置的占有几率为0.84±0.03。
用中子四圆衍射仪测量了部分氚化的硫酸三甘氨酸的晶体结构。所得结果与TGS做了比较:三个甘氨酸基团之间的距离有所增加,晶胞轴长α,b,c的相对增加量分别为4.7‰,5.0‰,1.9‰;氚占有氢位置的几率,明显地分成两类:与碳相联系的氢位置的占有几率为O;其它氢位置的占有几率为0.84±0.03。
1986, 35(5): 653-656.
doi: 10.7498/aps.35.653
摘要:
晶体的透光率可以定义为一个光子在穿透晶体的过程中未被晶体吸收的几率,并可用简便的格林函数(GF)运动方程法求解。针对二声子的光吸收问题,导得光子GF的解析式。可知晶体的吸收常数γ∝c2·ρ,c为晶体与光相互作用参数,ρ为非谐晶体的二声子态密度。对数透光率跟吸收常数成正比。
晶体的透光率可以定义为一个光子在穿透晶体的过程中未被晶体吸收的几率,并可用简便的格林函数(GF)运动方程法求解。针对二声子的光吸收问题,导得光子GF的解析式。可知晶体的吸收常数γ∝c2·ρ,c为晶体与光相互作用参数,ρ为非谐晶体的二声子态密度。对数透光率跟吸收常数成正比。
1986, 35(5): 657-661.
doi: 10.7498/aps.35.657
摘要:
本文报道了金属间化合物LaFeyNi5-y(0.5≤y≤1.1)的自旋玻璃特性。测定了样品的自旋玻璃冻结温度Tf。y≤0.9时,在一定温度下,样品中发生顺磁-自旋玻璃转变,Tf近似为y的线性函数,y≥1.0时,材料将发生顺磁-铁磁-自旋玻璃转变。
本文报道了金属间化合物LaFeyNi5-y(0.5≤y≤1.1)的自旋玻璃特性。测定了样品的自旋玻璃冻结温度Tf。y≤0.9时,在一定温度下,样品中发生顺磁-自旋玻璃转变,Tf近似为y的线性函数,y≥1.0时,材料将发生顺磁-铁磁-自旋玻璃转变。
1986, 35(5): 662-666.
doi: 10.7498/aps.35.662
摘要:
用不同能量的Ar+和H+轰击WO3表面,观察到W4f峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W4f电子的W6+,W4+和W03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H2O的吸附结果说明WO3表面的活性与W5+<
用不同能量的Ar+和H+轰击WO3表面,观察到W4f峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W4f电子的W6+,W4+和W03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H2O的吸附结果说明WO3表面的活性与W5+<
1986, 35(5): 667-671.
doi: 10.7498/aps.35.667
摘要:
用AES和LEFD在700—800℃温度范围内研究了硫在钼(111)表面上的偏析动力学和表面结构。样品加热到800℃硫迅速地偏析到表面上并逐步地取代了表面上的碳。加热到700℃硫没有明显的表面偏析。硫的偏析主要受它的体扩散速率的控制,表面碳的存在也抑制了硫的表面偏析。不同温度下的偏析动力学实验后,分别进行了低能电子衍射实验,观察到钼(111)(31/2×31/2)R30°-硫和1/3(44-99)-硫两种表面结构的低能
用AES和LEFD在700—800℃温度范围内研究了硫在钼(111)表面上的偏析动力学和表面结构。样品加热到800℃硫迅速地偏析到表面上并逐步地取代了表面上的碳。加热到700℃硫没有明显的表面偏析。硫的偏析主要受它的体扩散速率的控制,表面碳的存在也抑制了硫的表面偏析。不同温度下的偏析动力学实验后,分别进行了低能电子衍射实验,观察到钼(111)(31/2×31/2)R30°-硫和1/3(44-99)-硫两种表面结构的低能
1986, 35(5): 672-676.
doi: 10.7498/aps.35.672
摘要:
用能量为一千电子伏,束流为6微安的氮离子轰击钼(111)表面15分钟,在俄歇能谱中出现很强的氮的俄歇峰。从室温至450℃退火低能电子衍射观察表明,表面是无序层。样品加热到562℃左右观察到正方的低能衍射图,可以解释为氮、氧在钼(433)小面的c(3×1)结构。
用能量为一千电子伏,束流为6微安的氮离子轰击钼(111)表面15分钟,在俄歇能谱中出现很强的氮的俄歇峰。从室温至450℃退火低能电子衍射观察表明,表面是无序层。样品加热到562℃左右观察到正方的低能衍射图,可以解释为氮、氧在钼(433)小面的c(3×1)结构。
1986, 35(5): 677-680.
doi: 10.7498/aps.35.677
摘要:
本文用X射线衍射及差热分析方法测定了Gd-Ni二元系合金相图。在这个二元系中,观察到如下9个金属间化合物:Gd3Ni(735℃包晶分解),Gd3Ni2。(690℃包晶分解),GdNi(1280℃同成分熔化),GdNi2(1010℃包晶分解),GdNi3(1110℃包晶分解),Gd2Ni7(1200℃包晶分解),GdNi4(1270℃
本文用X射线衍射及差热分析方法测定了Gd-Ni二元系合金相图。在这个二元系中,观察到如下9个金属间化合物:Gd3Ni(735℃包晶分解),Gd3Ni2。(690℃包晶分解),GdNi(1280℃同成分熔化),GdNi2(1010℃包晶分解),GdNi3(1110℃包晶分解),Gd2Ni7(1200℃包晶分解),GdNi4(1270℃
1986, 35(5): 681-686.
doi: 10.7498/aps.35.681
摘要:
本文应用格林函数方法,推导出二维稀磁合金的RKKY相互作用公式,在2KfRil较大时,所得的结果形式上与一维和三维情况下的结果相类似。基于RKKY相互作用公式,计算了二维磁性合金的RKKY耦合电阻,在低温下得到1/T的发散关系。采用环形近似,可消除发散。
本文应用格林函数方法,推导出二维稀磁合金的RKKY相互作用公式,在2KfRil较大时,所得的结果形式上与一维和三维情况下的结果相类似。基于RKKY相互作用公式,计算了二维磁性合金的RKKY耦合电阻,在低温下得到1/T的发散关系。采用环形近似,可消除发散。
1986, 35(5): 687-690.
doi: 10.7498/aps.35.687
摘要:
在BCS机制下,采用Anderson模型,在低压区域内,我们解释了CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的实验结果。
在BCS机制下,采用Anderson模型,在低压区域内,我们解释了CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的实验结果。
1986, 35(5): 691-696.
doi: 10.7498/aps.35.691
摘要:
本文用差热分析和X射线衍射方法,对LiNaSO4-MgSO4赝二元系相图进行了研究。在此体系中存在三个化合物,它们分别为(LiNa)0.8Mg(0.2)SO4,(LiNa)0.67Mg0.33SO4和(LiNa)0.4Mg0.6SO4。研究了三种化合物的离子导电性,在490℃时上述三个化合
本文用差热分析和X射线衍射方法,对LiNaSO4-MgSO4赝二元系相图进行了研究。在此体系中存在三个化合物,它们分别为(LiNa)0.8Mg(0.2)SO4,(LiNa)0.67Mg0.33SO4和(LiNa)0.4Mg0.6SO4。研究了三种化合物的离子导电性,在490℃时上述三个化合
