1992年 41卷 第6期
显示方式:
1992, 41(6): 869-872.
doi: 10.7498/aps.41.869
摘要:
本文从讨论视界附近的Klein-Gordon方程出发,直接准确地算出球对称带电蒸发黑洞事件视界的位置和考虑反作用后的Hawking辐射温度,而无需求助于低维能-动张量的近似计算。
本文从讨论视界附近的Klein-Gordon方程出发,直接准确地算出球对称带电蒸发黑洞事件视界的位置和考虑反作用后的Hawking辐射温度,而无需求助于低维能-动张量的近似计算。
1992, 41(6): 873-880.
doi: 10.7498/aps.41.873
摘要:
本文在独立电子近似的基础上,利用多重散射自洽场理沦方法,计算一些以Si为联合原子的双原子分子N2,CO,BF,AlH,LiNa,“BeNe”,“MgHe”的里德伯能级结构。根据分子的电子组态极限,确定了各里德伯系列初始态的主量子数。阐明了这些双原子分子里德伯能级结构的变化规津。理论计算结果与已有的实验数据符合得较好,从而为超越独立电子近似的计算打下基础。
本文在独立电子近似的基础上,利用多重散射自洽场理沦方法,计算一些以Si为联合原子的双原子分子N2,CO,BF,AlH,LiNa,“BeNe”,“MgHe”的里德伯能级结构。根据分子的电子组态极限,确定了各里德伯系列初始态的主量子数。阐明了这些双原子分子里德伯能级结构的变化规津。理论计算结果与已有的实验数据符合得较好,从而为超越独立电子近似的计算打下基础。
1992, 41(6): 881-884.
doi: 10.7498/aps.41.881
摘要:
本文在重新考虑量子力学关于跃迁概率的算法的基础上,指出在频宽为△ω的非单色光作用下,原子的瞬态电离概率在一定的相互作用时间△t≈1/△ω内严重偏离费密第二黄金定则。
本文在重新考虑量子力学关于跃迁概率的算法的基础上,指出在频宽为△ω的非单色光作用下,原子的瞬态电离概率在一定的相互作用时间△t≈1/△ω内严重偏离费密第二黄金定则。
1992, 41(6): 885-889.
doi: 10.7498/aps.41.885
摘要:
建立了一套直线透射式全截面测量装置,并测量了250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面,实验误差为3.5%。测量的结果与已报道实验和理论工作做了比较。
建立了一套直线透射式全截面测量装置,并测量了250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面,实验误差为3.5%。测量的结果与已报道实验和理论工作做了比较。
1992, 41(6): 890-897.
doi: 10.7498/aps.41.890
摘要:
本文研究掺Er3+光纤的γ射线辐射特性,发现在800到1600nm之间损耗都有显著的增加,有的增加800倍之多。光纤的γ射线辐照损耗特性具有β射线辐照类似的规律性。用γ射线的康普顿效应半定量地解释了这种类似性。对γ射线辐照损耗进行紫外线UV漂白,表明比热退火有更好的效果,能使损耗恢复50%。指出选用原子序数小的元素作光纤掺杂剂会有利于光纤抗辐照性能的提高。
本文研究掺Er3+光纤的γ射线辐射特性,发现在800到1600nm之间损耗都有显著的增加,有的增加800倍之多。光纤的γ射线辐照损耗特性具有β射线辐照类似的规律性。用γ射线的康普顿效应半定量地解释了这种类似性。对γ射线辐照损耗进行紫外线UV漂白,表明比热退火有更好的效果,能使损耗恢复50%。指出选用原子序数小的元素作光纤掺杂剂会有利于光纤抗辐照性能的提高。
1992, 41(6): 898-909.
doi: 10.7498/aps.41.898
摘要:
本文的最新实验表明,单个10μm半径级的激光斑在预形成的激光等离子体中不能有效激励90°侧向3ω0/2谐波发射。但配合同样尺寸的辅助光斑,在满足一定位置和角度条件下却容易引发这种发射。使用双等离振子衰变理论,结合动态自聚细丝模型分析了这一现象的起因。
本文的最新实验表明,单个10μm半径级的激光斑在预形成的激光等离子体中不能有效激励90°侧向3ω0/2谐波发射。但配合同样尺寸的辅助光斑,在满足一定位置和角度条件下却容易引发这种发射。使用双等离振子衰变理论,结合动态自聚细丝模型分析了这一现象的起因。
1992, 41(6): 910-916.
doi: 10.7498/aps.41.910
摘要:
本文从含有广义欧姆定律的磁流体力学方程组出发,仅作符合加热托卡马克等离子体具体实验条件的近似,把广义磁流体方程组简化成4元一阶微分方程组。对均匀密度等离子体柱情况求出解析色散关系(本征模解),并证明Appert理论是本文的极限情况。
本文从含有广义欧姆定律的磁流体力学方程组出发,仅作符合加热托卡马克等离子体具体实验条件的近似,把广义磁流体方程组简化成4元一阶微分方程组。对均匀密度等离子体柱情况求出解析色散关系(本征模解),并证明Appert理论是本文的极限情况。
1992, 41(6): 917-923.
doi: 10.7498/aps.41.917
摘要:
本文以“导电孤岛”物理模型阐明界面极化率对导电高聚物电损耗的影响。通过物理模型的数学解析表明,导电高聚物中的“导电孤岛”是导电高聚物的介电损耗的主要来源,并发现“导电孤岛”所引起的介电损耗依赖于“导电孤岛”本身的电导率、介电常数以及它的体积分数。“导电孤岛”物理模型所揭示的介电特性与实验中所观祭到的微波吸收率和导电高聚物的室温电导率有关的实验事实相符合。
本文以“导电孤岛”物理模型阐明界面极化率对导电高聚物电损耗的影响。通过物理模型的数学解析表明,导电高聚物中的“导电孤岛”是导电高聚物的介电损耗的主要来源,并发现“导电孤岛”所引起的介电损耗依赖于“导电孤岛”本身的电导率、介电常数以及它的体积分数。“导电孤岛”物理模型所揭示的介电特性与实验中所观祭到的微波吸收率和导电高聚物的室温电导率有关的实验事实相符合。
1992, 41(6): 924-928.
doi: 10.7498/aps.41.924
摘要:
本文利用示差扫描量热法(DSC)和X射线衍射手段研究机械合金化Ni,Zr混合粉形成非晶Ni35Zr65合金的过程,揭示了内应力在机械合金化非晶化过程中的作用,并对其在球磨过程中的变化规律进行探讨和解释。
本文利用示差扫描量热法(DSC)和X射线衍射手段研究机械合金化Ni,Zr混合粉形成非晶Ni35Zr65合金的过程,揭示了内应力在机械合金化非晶化过程中的作用,并对其在球磨过程中的变化规律进行探讨和解释。
1992, 41(6): 929-936.
doi: 10.7498/aps.41.929
摘要:
利用多重散射Xα自洽场法,对取为四面体的原子团Fe4B的电子结构进行计算,分析、对比原子团Fe4与Fe4B的能级分布、轨道等高线图和态密度的分布,讨论B原子加入对原子团Fe4B的电子结构的影响,并结合讨论了非晶态Fe80B20等合金的一些性质。
利用多重散射Xα自洽场法,对取为四面体的原子团Fe4B的电子结构进行计算,分析、对比原子团Fe4与Fe4B的能级分布、轨道等高线图和态密度的分布,讨论B原子加入对原子团Fe4B的电子结构的影响,并结合讨论了非晶态Fe80B20等合金的一些性质。
1992, 41(6): 937-947.
doi: 10.7498/aps.41.937
摘要:
本文用差热分析、X射线物相分析及点阵常数的精确测定等方法研究了新化合物Sr2CaMoO6的相变,证明该化合物在(767±5)℃存在一级位移型相变。低温相α-Sr2CaMoO。属正交晶系,空间群为Pmm2,室温时点阵常数为:α=8.1933?,b=5.7611?,c=5.8410?。测量密度Dm=4.97g/cm3,单位晶胞内具有2个化学式量。高温相β-Sr2CaMoO
本文用差热分析、X射线物相分析及点阵常数的精确测定等方法研究了新化合物Sr2CaMoO6的相变,证明该化合物在(767±5)℃存在一级位移型相变。低温相α-Sr2CaMoO。属正交晶系,空间群为Pmm2,室温时点阵常数为:α=8.1933?,b=5.7611?,c=5.8410?。测量密度Dm=4.97g/cm3,单位晶胞内具有2个化学式量。高温相β-Sr2CaMoO
1992, 41(6): 948-959.
doi: 10.7498/aps.41.948
摘要:
本文仍从Sullivan模型出发,发展文献[1]中提出的展开方法,在动力学图象中,就混合系统中最具有代表性的状态——二元三相系的浸润相变性质,进行解析研究。所得结论对已有结果作了补充与修正。
本文仍从Sullivan模型出发,发展文献[1]中提出的展开方法,在动力学图象中,就混合系统中最具有代表性的状态——二元三相系的浸润相变性质,进行解析研究。所得结论对已有结果作了补充与修正。
1992, 41(6): 960-967.
doi: 10.7498/aps.41.960
摘要:
本文讨论二元Sullivan系统的一个特殊状态——二元四相系的浸润相变性质,该系统的许多性质可以通过对两个二元二相系的讨论而得到。结果表明:这一系统同时存在一级相变和二级相变。
本文讨论二元Sullivan系统的一个特殊状态——二元四相系的浸润相变性质,该系统的许多性质可以通过对两个二元二相系的讨论而得到。结果表明:这一系统同时存在一级相变和二级相变。
1992, 41(6): 968-976.
doi: 10.7498/aps.41.968
摘要:
利用原子集团多重散射理论计算甲酸在Cu(110)表面催化分解中间产物HCOO(formate)的O原子K边X射线吸收精细结构谱,证实formate吸附在Cu(110)表面长方元胞的短桥位,求得C—O键长等于1.26±0.01?,Cu—O键长为1.975±0.02?,O—C—O键角处于130°—134°范围内。上述结果与光电子衍射谱的分析结论一致。
利用原子集团多重散射理论计算甲酸在Cu(110)表面催化分解中间产物HCOO(formate)的O原子K边X射线吸收精细结构谱,证实formate吸附在Cu(110)表面长方元胞的短桥位,求得C—O键长等于1.26±0.01?,Cu—O键长为1.975±0.02?,O—C—O键角处于130°—134°范围内。上述结果与光电子衍射谱的分析结论一致。
1992, 41(6): 977-984.
doi: 10.7498/aps.41.977
摘要:
本文应用slave-boson技巧,在平均场近似下,计算外加磁场作用下重电子金属的比热系数和磁化强度。结果表明,外加磁场对系统的重费密子特性具有压制作用。此外。还对重电子金属中反常磁致伸缩的实验结果给出理论解释。
本文应用slave-boson技巧,在平均场近似下,计算外加磁场作用下重电子金属的比热系数和磁化强度。结果表明,外加磁场对系统的重费密子特性具有压制作用。此外。还对重电子金属中反常磁致伸缩的实验结果给出理论解释。
1992, 41(6): 985-991.
doi: 10.7498/aps.41.985
摘要:
本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。
本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。
1992, 41(6): 992-998.
doi: 10.7498/aps.41.992
摘要:
用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。
用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。
1992, 41(6): 999-1004.
doi: 10.7498/aps.41.999
摘要:
本文对60余种高温氧化物超导材料用Villars坐标进行再分析。又引进两个新的坐标(电负性平均值及平均化合价),发现在用这两个新坐标分析时,高温氧化物超导材料在图中的分布更趋于集中。
本文对60余种高温氧化物超导材料用Villars坐标进行再分析。又引进两个新的坐标(电负性平均值及平均化合价),发现在用这两个新坐标分析时,高温氧化物超导材料在图中的分布更趋于集中。
1992, 41(6): 1005-1011.
doi: 10.7498/aps.41.1005
摘要:
测量了赝二元立方Laves相化合物TbGdFe2(0≤x≤1)的磁化曲线、居里温度和矫顽力随温度的变化。发现化合物由TbFe2向GdFe2过渡时,样品的饱和磁化强度几乎直线下降。在所有成分下,Fe原子的磁矩都是常数(μFe=1.60±0.04μB),但Tb原子的磁矩,由于受晶场影响,却小于自由离子的值(gJ=9.OμB)。矫顽力由两部分组成:一为畴壁受Peierls势垒和稀土
测量了赝二元立方Laves相化合物TbGdFe2(0≤x≤1)的磁化曲线、居里温度和矫顽力随温度的变化。发现化合物由TbFe2向GdFe2过渡时,样品的饱和磁化强度几乎直线下降。在所有成分下,Fe原子的磁矩都是常数(μFe=1.60±0.04μB),但Tb原子的磁矩,由于受晶场影响,却小于自由离子的值(gJ=9.OμB)。矫顽力由两部分组成:一为畴壁受Peierls势垒和稀土
1992, 41(6): 1012-1018.
doi: 10.7498/aps.41.1012
摘要:
本文通过解压电效应的基本方程,应用一维近似理论,结合边界条件,得出压电共振晶体中电场是不均匀的,它将导致“电光栅”的产生。“电光栅”与“声光栅”可以相互耦合,产生“高次光栅”。压电诱导声光(PESD)调制器中的一次电光效应更有助于对入射光束的衍射和调制。实验结果证实本文结论。
本文通过解压电效应的基本方程,应用一维近似理论,结合边界条件,得出压电共振晶体中电场是不均匀的,它将导致“电光栅”的产生。“电光栅”与“声光栅”可以相互耦合,产生“高次光栅”。压电诱导声光(PESD)调制器中的一次电光效应更有助于对入射光束的衍射和调制。实验结果证实本文结论。
1992, 41(6): 1019-1026.
doi: 10.7498/aps.41.1019
摘要:
本文研究准一维含铂卤素桥接混合价化合物(HMPC)中的激光诱导光吸收。在总结、分析实验事实的基础上,提出一个激光诱导光吸收机制,分别计算卤素(X)离子交替形变和描述极化子周围的X离子晶格形变这两种情况下的激光诱导光吸收谱,并与实验事实进行比较。
本文研究准一维含铂卤素桥接混合价化合物(HMPC)中的激光诱导光吸收。在总结、分析实验事实的基础上,提出一个激光诱导光吸收机制,分别计算卤素(X)离子交替形变和描述极化子周围的X离子晶格形变这两种情况下的激光诱导光吸收谱,并与实验事实进行比较。
1992, 41(6): 1027-1031.
doi: 10.7498/aps.41.1027
摘要:
在恒定温度下,通过测量不同浓度溶液中吸附在Ag镜表面水杨酸分子(SA)的表面增强喇曼散射(SEKS)强度(ISERS,对固-液系统中吸附在Ag镜表面上SA分子的ISERS对溶液浓度的依赖关系进行实验研究,并对ISERS与吸附分子数Ns的关系进行分析讨论。实验研究和理论分析的结果表明:利用SERS技术通过测量ISERS与溶液浓度c的依赖关系,可为固-液系统中分子在固体表面的吸附过程及吸附特性研究提供
在恒定温度下,通过测量不同浓度溶液中吸附在Ag镜表面水杨酸分子(SA)的表面增强喇曼散射(SEKS)强度(ISERS,对固-液系统中吸附在Ag镜表面上SA分子的ISERS对溶液浓度的依赖关系进行实验研究,并对ISERS与吸附分子数Ns的关系进行分析讨论。实验研究和理论分析的结果表明:利用SERS技术通过测量ISERS与溶液浓度c的依赖关系,可为固-液系统中分子在固体表面的吸附过程及吸附特性研究提供
1992, 41(6): 1032-1035.
doi: 10.7498/aps.41.1032
摘要:
用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
1992, 41(6): 1036-1043.
doi: 10.7498/aps.41.1036
摘要:
本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。
本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。
