1994年 43卷 第8期
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1994, 43(8): 1217-1225.
doi: 10.7498/aps.43.1217
摘要:
采用Ｓｅｒｅｂｒｙａｎｙ的复空间中的复坐标法，讨论了轴对称非均匀弹性介质中引力波对声子的作用效应，并给出了由引力波产生的激发力的表达式和相应的声子解。解的形式表明，平行于对称轴方向传播的引力波只对声子场的径向分量、切向分量产生扰动，垂直于对称轴方向传播的引力波则对声子场的径向分量、切向分量和轴向分量均产生扰动，扰动强度取决于切变模量径向分布函数的具体形式和引力波的振幅。此外，本文还将所得结果与含有螺旋位错的拓扑声子空间中引力波的扰动效应作了比较。
采用Ｓｅｒｅｂｒｙａｎｙ的复空间中的复坐标法，讨论了轴对称非均匀弹性介质中引力波对声子的作用效应，并给出了由引力波产生的激发力的表达式和相应的声子解。解的形式表明，平行于对称轴方向传播的引力波只对声子场的径向分量、切向分量产生扰动，垂直于对称轴方向传播的引力波则对声子场的径向分量、切向分量和轴向分量均产生扰动，扰动强度取决于切变模量径向分布函数的具体形式和引力波的振幅。此外，本文还将所得结果与含有螺旋位错的拓扑声子空间中引力波的扰动效应作了比较。
1994, 43(8): 1228-1233.
doi: 10.7498/aps.43.1228
摘要:
使用Ｇｒａｓｓｂｅｒｇｅｒ－Ｐｒｏｃａｃｃｉａ方法（简称Ｇ－Ｐ方法）计算吸引子的维数时，必然受到数据点数Ｎ的限制。Ｓｍｉｔｈ（１９８８年），Ｅｃｋｉｎａｎｎ与Ｒｕｅｌｌｅ（１９９２年）曾先后研究过这种限制，本文指出了这些研究存在的问题，另外推导出了新的关系式Ｎｍｉｎ >21/2·((27.5)1/2)D．这一要求比Ｓｍｉｔｈ给出的Ｎｍｉｎ≥42M大为降低，可以拓展Ｇ－Ｐ方法的使用范围。
使用Ｇｒａｓｓｂｅｒｇｅｒ－Ｐｒｏｃａｃｃｉａ方法（简称Ｇ－Ｐ方法）计算吸引子的维数时，必然受到数据点数Ｎ的限制。Ｓｍｉｔｈ（１９８８年），Ｅｃｋｉｎａｎｎ与Ｒｕｅｌｌｅ（１９９２年）曾先后研究过这种限制，本文指出了这些研究存在的问题，另外推导出了新的关系式Ｎｍｉｎ >21/2·((27.5)1/2)D．这一要求比Ｓｍｉｔｈ给出的Ｎｍｉｎ≥42M大为降低，可以拓展Ｇ－Ｐ方法的使用范围。
1994, 43(8): 1234-1240.
doi: 10.7498/aps.43.1234
摘要:
一种能方便地求解Ｈéｎｏｎ映射周期轨道的数值方法可以定义相应的符号动力学，本文讨论了它在（ａ，ｂ）参数平面上的有效区间，同时分析了它在周期轨道分叉临界曲线附近个别区域出现的特殊现象。
一种能方便地求解Ｈéｎｏｎ映射周期轨道的数值方法可以定义相应的符号动力学，本文讨论了它在（ａ，ｂ）参数平面上的有效区间，同时分析了它在周期轨道分叉临界曲线附近个别区域出现的特殊现象。
1994, 43(8): 1241-1245.
doi: 10.7498/aps.43.1241
摘要:
向列型液晶中的分子短程关联有重要物理效应。但取向两体势包含高阶项时，现行理论不能给出可靠计算。本文在格胞理论的基础上发展新的数值方法解平衡态方程。我们不对取向分布函数作任何经验展开而得到精确的分子取向分布。给出了向列相一各向同性相转变点的序参数、熵变等量的准确数值结果，从而得到短程关联对推广的平均场理论的修正。
向列型液晶中的分子短程关联有重要物理效应。但取向两体势包含高阶项时，现行理论不能给出可靠计算。本文在格胞理论的基础上发展新的数值方法解平衡态方程。我们不对取向分布函数作任何经验展开而得到精确的分子取向分布。给出了向列相一各向同性相转变点的序参数、熵变等量的准确数值结果，从而得到短程关联对推广的平均场理论的修正。
1994, 43(8): 1246-1253.
doi: 10.7498/aps.43.1246
摘要:
通过分析在ＲＦ场照射下自旋体系的稳态特性，指出了区分稳态和饱和态的概念是非常必要的。用推广的Ｓｏｌｏｍｏｎ方程描述稳态ＮＯＥ实验，给出了稳态ＮＯＥ实验增强因子的修正表达式，并用实验证明了它的正确性。
通过分析在ＲＦ场照射下自旋体系的稳态特性，指出了区分稳态和饱和态的概念是非常必要的。用推广的Ｓｏｌｏｍｏｎ方程描述稳态ＮＯＥ实验，给出了稳态ＮＯＥ实验增强因子的修正表达式，并用实验证明了它的正确性。
1994, 43(8): 1254-1261.
doi: 10.7498/aps.43.1254
摘要:
利用Ｃｏｌｌｉｎｓ二维模型，以氩为例，计算了在空位存在和原子作非简谐振动情况下流体的热力学函数，研究了原子不动、作平动、作非简谐振动等情况液氩的临界点，玻意耳温度和玻意耳线。所得结果与实验值和由经验方程得到的结果相近。
利用Ｃｏｌｌｉｎｓ二维模型，以氩为例，计算了在空位存在和原子作非简谐振动情况下流体的热力学函数，研究了原子不动、作平动、作非简谐振动等情况液氩的临界点，玻意耳温度和玻意耳线。所得结果与实验值和由经验方程得到的结果相近。
1994, 43(8): 1262-1267.
doi: 10.7498/aps.43.1262
摘要:
运用数值计算方法研究了ｑ畸变对奇偶ｑ相干态量子统计特性的影响。发现奇偶ｑ相干态（ｑ－ＣＳｓ）与通常的奇偶相干态有着显著不同的量子统计特性。压缩现象在这两种畸变态下均可呈准周期性地出现；反聚束和聚束现象都可在一定条件下的两种畸变态中出现。奇偶ｑ相干态与通常奇偶相干态的差异随ｑ值偏离１越大而越大。
运用数值计算方法研究了ｑ畸变对奇偶ｑ相干态量子统计特性的影响。发现奇偶ｑ相干态（ｑ－ＣＳｓ）与通常的奇偶相干态有着显著不同的量子统计特性。压缩现象在这两种畸变态下均可呈准周期性地出现；反聚束和聚束现象都可在一定条件下的两种畸变态中出现。奇偶ｑ相干态与通常奇偶相干态的差异随ｑ值偏离１越大而越大。
1994, 43(8): 1268-1280.
doi: 10.7498/aps.43.1268
摘要:
采用半经典理论，建立了Ｅｒ3+掺杂光纤中孤子的传输放大方程。该方程考虑泵浦激发态吸收，故适用于０．５－１．４９μｍ波长范围的所有泵浦情况。同时，该方程适用于任意折射率分布光纤，任意泵浦和信号光波模式、任意掺杂形状、均匀加宽和非均匀加宽、集总放大和分布放大，为深入研究Ｅｒ3+渗杂光纤孤子放大特性、优化掺杂光纤设计提供了必须的基本分析方程。
采用半经典理论，建立了Ｅｒ3+掺杂光纤中孤子的传输放大方程。该方程考虑泵浦激发态吸收，故适用于０．５－１．４９μｍ波长范围的所有泵浦情况。同时，该方程适用于任意折射率分布光纤，任意泵浦和信号光波模式、任意掺杂形状、均匀加宽和非均匀加宽、集总放大和分布放大，为深入研究Ｅｒ3+渗杂光纤孤子放大特性、优化掺杂光纤设计提供了必须的基本分析方程。
1994, 43(8): 1281-1288.
doi: 10.7498/aps.43.1281
摘要:
由文献［１］所给Ｅｒ3+掺杂光纤的孤子传输放大方程，对分布放大情况，给出透明传输时的最佳泵浦功率。将其与实验结果比较，证明理论与实验符合很好。对考虑激发态吸收时的最佳泵浦的研究指出，激发态吸收将严重消耗泵浦功率，提高基态量子转移效率可减小激发态吸收的影响。
由文献［１］所给Ｅｒ3+掺杂光纤的孤子传输放大方程，对分布放大情况，给出透明传输时的最佳泵浦功率。将其与实验结果比较，证明理论与实验符合很好。对考虑激发态吸收时的最佳泵浦的研究指出，激发态吸收将严重消耗泵浦功率，提高基态量子转移效率可减小激发态吸收的影响。
1994, 43(8): 1289-1294.
doi: 10.7498/aps.43.1289
摘要:
实现了一种新型的非腔长匹配相干叠加脉冲锁模Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的锁模运转。锁模脉冲宽度为６０ｐｓ．给出该种新型锁模激光器的运转特性以及锁模状态与各种实验参数之间的关系。对于该种激光器的各种实验现象给出了简明清晰的物理解释。
实现了一种新型的非腔长匹配相干叠加脉冲锁模Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的锁模运转。锁模脉冲宽度为６０ｐｓ．给出该种新型锁模激光器的运转特性以及锁模状态与各种实验参数之间的关系。对于该种激光器的各种实验现象给出了简明清晰的物理解释。
1994, 43(8): 1295-1300.
doi: 10.7498/aps.43.1295
摘要:
薄膜应力可用ｘ射线掠射法测量，２θ－ｓｉｎ2φ失去线性时，采用小角掠射，有可能使２θ－ｓｉｎ2φ恢复直线，并由斜率计算应力；２θ－ｓｉｎ2φ维持线性时，依次改变掠射角，可望对内应力沿膜厚分布做出评估。
薄膜应力可用ｘ射线掠射法测量，２θ－ｓｉｎ2φ失去线性时，采用小角掠射，有可能使２θ－ｓｉｎ2φ恢复直线，并由斜率计算应力；２θ－ｓｉｎ2φ维持线性时，依次改变掠射角，可望对内应力沿膜厚分布做出评估。
1994, 43(8): 1301-1310.
doi: 10.7498/aps.43.1301
摘要:
在０．０００１－２．４ＧＰａ流体静压力范围详细研究了非晶(Fe1-xCox)77.5Nd4B18.5（０≤ｘ≤１．０）合金的电阻率与压力的关系，得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分ｘ变化的规律。结果表明：用少量的钴（ｘ＝０．２）替代铁，不会影响其硬磁性和热稳定性，同时却可减小电阻率的压力系数，从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在０．５１ＧＰａ保压３－２４h的结构弛豫，进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分ｘ的依赖关系。
在０．０００１－２．４ＧＰａ流体静压力范围详细研究了非晶(Fe1-xCox)77.5Nd4B18.5（０≤ｘ≤１．０）合金的电阻率与压力的关系，得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分ｘ变化的规律。结果表明：用少量的钴（ｘ＝０．２）替代铁，不会影响其硬磁性和热稳定性，同时却可减小电阻率的压力系数，从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在０．５１ＧＰａ保压３－２４h的结构弛豫，进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分ｘ的依赖关系。
1994, 43(8): 1311-1317.
doi: 10.7498/aps.43.1311
摘要:
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ0.3Ｇ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和ＡｌxＧａ1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ0.3Ｇ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和ＡｌxＧａ1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。
1994, 43(8): 1318-1325.
doi: 10.7498/aps.43.1318
摘要:
二维半满晶格的稳定性要考虑次近邻跃迁，此时二聚化δ存在一个临界值δ0，同时叠套（Ｎｅｓｔｉｎｇ）分为两种情况：１）当δ≥δ0，部分Ｎｅｓｔｉｎｇ，费密面的一部分仍是平直的。２）当δ＜δ0，近似Ｎｅｓｔｉｎｇ，费密面是弯的。
二维半满晶格的稳定性要考虑次近邻跃迁，此时二聚化δ存在一个临界值δ0，同时叠套（Ｎｅｓｔｉｎｇ）分为两种情况：１）当δ≥δ0，部分Ｎｅｓｔｉｎｇ，费密面的一部分仍是平直的。２）当δ＜δ0，近似Ｎｅｓｔｉｎｇ，费密面是弯的。
1994, 43(8): 1326-1330.
doi: 10.7498/aps.43.1326
摘要:
在“紧束缚近似”下，假定聚乙炔中每个碳原子都处于基态，并取基态原子波函数为类氢原子的２Ｐz态，将其线性组合后作为π电子的波函数。在此基础上，研究了多中心积分问题，给出了转移积分的解析表达式。
在“紧束缚近似”下，假定聚乙炔中每个碳原子都处于基态，并取基态原子波函数为类氢原子的２Ｐz态，将其线性组合后作为π电子的波函数。在此基础上，研究了多中心积分问题，给出了转移积分的解析表达式。
1994, 43(8): 1331-1335.
doi: 10.7498/aps.43.1331
摘要:
在以前工作［７，８］的基础上，我们进一步研究了一维无公度系统Ａｕｂｒｙ模型Ａｎｄｅｒｓｏｎ转变区与波矢的关系。数值结果表明：该转变区与波矢有关；波矢值愈小，该转变区处于愈低的势强度Ｖ值的范围。
在以前工作［７，８］的基础上，我们进一步研究了一维无公度系统Ａｕｂｒｙ模型Ａｎｄｅｒｓｏｎ转变区与波矢的关系。数值结果表明：该转变区与波矢有关；波矢值愈小，该转变区处于愈低的势强度Ｖ值的范围。
1994, 43(8): 1336-1343.
doi: 10.7498/aps.43.1336
摘要:
用电子－晶格耦合的紧束缚模型和求解实时牛顿动力学方程的方法研究了Ｃ60受光激发后的动力学过程，得到了受光激发后Ｃ60分子的能量，键结构和电子状态的动态演化，结果表明光激发Ｃ60分子演化成环状双极化子激子。该计算结果与中性富勒烯材料的荧光实验所得出的结论一致。
用电子－晶格耦合的紧束缚模型和求解实时牛顿动力学方程的方法研究了Ｃ60受光激发后的动力学过程，得到了受光激发后Ｃ60分子的能量，键结构和电子状态的动态演化，结果表明光激发Ｃ60分子演化成环状双极化子激子。该计算结果与中性富勒烯材料的荧光实验所得出的结论一致。
1994, 43(8): 1344-1351.
doi: 10.7498/aps.43.1344
摘要:
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ2，并且大大增强了原有的Ｅ01（０．２９８）和Ｅ02（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ03。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇01（０．２１６），Ｅ＇02（０．３４１），Ｅ＇2，Ｅ＇4和Ｅ＇5（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ01和Ｅ＇01是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ2，并且大大增强了原有的Ｅ01（０．２９８）和Ｅ02（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ03。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇01（０．２１６），Ｅ＇02（０．３４１），Ｅ＇2，Ｅ＇4和Ｅ＇5（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ01和Ｅ＇01是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
1994, 43(8): 1352-1359.
doi: 10.7498/aps.43.1352
摘要:
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ01（０．２９８），Ｅ02（０．３４１），Ｅ03（０．５５５）和Ｅ04（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇03（０．５４）和Ｈ″03（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ01（０．２９８），Ｅ02（０．３４１），Ｅ03（０．５５５）和Ｅ04（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇03（０．５４）和Ｈ″03（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。
1994, 43(8): 1360-1364.
doi: 10.7498/aps.43.1360
摘要:
实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度T(1)0 和 T(2)0（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到T(2)0的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈip都分布于一个与Ｔ有关的区间[Hip(1)(T), Hip(2)(T)]内，称为临界面内磁场区间：Hip＜Hip(1)(T)时，ＶＢＬ链保持不变;Hip(1)(T)ip ip(2)(T)时，随着Ｈip的增加，越来越多的ＶＢＬ消失;Hip > Hip(2)(T)时，所有ＶＢＬ都消失。Hip(1)(T),Hip(2)(T)及Hip(2)(T)-Hip(1)(T)均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于T(1)0 和 T(2)0降为零。比值Hip(2)(T)/Hip(1)(T)随Ｔ的升高而升高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为21/2,在T(1)0附近急剧升高且至T(1)0时趋于∞。对以上结果做了理论分析。
实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度T(1)0 和 T(2)0（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到T(2)0的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈip都分布于一个与Ｔ有关的区间[Hip(1)(T), Hip(2)(T)]内，称为临界面内磁场区间：Hip＜Hip(1)(T)时，ＶＢＬ链保持不变;Hip(1)(T)ip ip(2)(T)时，随着Ｈip的增加，越来越多的ＶＢＬ消失;Hip > Hip(2)(T)时，所有ＶＢＬ都消失。Hip(1)(T),Hip(2)(T)及Hip(2)(T)-Hip(1)(T)均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于T(1)0 和 T(2)0降为零。比值Hip(2)(T)/Hip(1)(T)随Ｔ的升高而升高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为21/2,在T(1)0附近急剧升高且至T(1)0时趋于∞。对以上结果做了理论分析。
1994, 43(8): 1365-1370.
doi: 10.7498/aps.43.1365
摘要:
提出用多个单脉冲来激发四极核的磁共振信号，可以显著地提高谱线的信噪比，并对该方法在核磁共振与核四极共振中的应用详细地进行了讨论。
提出用多个单脉冲来激发四极核的磁共振信号，可以显著地提高谱线的信噪比，并对该方法在核磁共振与核四极共振中的应用详细地进行了讨论。
1994, 43(8): 1371-1379.
doi: 10.7498/aps.43.1371
摘要:
用虚拟１／２自旋算符讨论了核四极共振（ＮＱＲ）中自旋Ｉ＝１的自旋系统对激发脉冲宽度和频率偏置的响应。用单脉冲和双脉冲来观测的核四极共振信号与理论预期相符合。此外还证明，若只考虑射频场在分子电场梯度（ＥＰＧ）张量主轴坐标系（ＰＡＳ）中的一个轴上的分量（即有效射频场分量）的作用，就可用ＮＭＲ矢量模型来处理Ｉ＝１的核自旋系统。
用虚拟１／２自旋算符讨论了核四极共振（ＮＱＲ）中自旋Ｉ＝１的自旋系统对激发脉冲宽度和频率偏置的响应。用单脉冲和双脉冲来观测的核四极共振信号与理论预期相符合。此外还证明，若只考虑射频场在分子电场梯度（ＥＰＧ）张量主轴坐标系（ＰＡＳ）中的一个轴上的分量（即有效射频场分量）的作用，就可用ＮＭＲ矢量模型来处理Ｉ＝１的核自旋系统。
1994, 43(8): 1380-1385.
doi: 10.7498/aps.43.1380
摘要:
提出了光学非均匀纤维增强复合材料的复杂双折射现象的多元滞后器模型。给出了多元滞后器矩阵以及由此衍生的一组光强、方位角及滞后量公式，给出了多元与二元等效的证明，并认为二元滞后量应被看作是多元滞后量的一种统计等效值。穿过非均匀介质的偏振光具有复杂的波前，可分解为一组具有不同空间频率的平面波，且每一束平面波都由一对正交偏振光组成。所有这些平面波在试样前方的、垂直于原入射光方向的屏幕上任一点的干涉，在数学上可表示为表征这些平面波的Ｊｏｎｅｓ向量的不同权值的叠加。由于每一对正交偏振光均对应于一个光学均匀微元的Ｊｏｎｅｓ矩阵，因而可用由若干这些Ｊｏｎｅｓ矩阵的叠加所得的多元滞后量矩阵来表征光学非均匀纤维增强复合材料的双折射行为。
提出了光学非均匀纤维增强复合材料的复杂双折射现象的多元滞后器模型。给出了多元滞后器矩阵以及由此衍生的一组光强、方位角及滞后量公式，给出了多元与二元等效的证明，并认为二元滞后量应被看作是多元滞后量的一种统计等效值。穿过非均匀介质的偏振光具有复杂的波前，可分解为一组具有不同空间频率的平面波，且每一束平面波都由一对正交偏振光组成。所有这些平面波在试样前方的、垂直于原入射光方向的屏幕上任一点的干涉，在数学上可表示为表征这些平面波的Ｊｏｎｅｓ向量的不同权值的叠加。由于每一对正交偏振光均对应于一个光学均匀微元的Ｊｏｎｅｓ矩阵，因而可用由若干这些Ｊｏｎｅｓ矩阵的叠加所得的多元滞后量矩阵来表征光学非均匀纤维增强复合材料的双折射行为。
1994, 43(8): 1386-1392.
doi: 10.7498/aps.43.1386
摘要:
通过测量Ｐｒ：ＳＢＮ晶体的吸收光谱和荧光光谱来确定Ｐｒ3+在ＳＢＮ晶体中的能级位置。由于Ｐｒ3+离子占据晶体中的不同格位而引起荧光带呈现双峰结构。测量荧光寿命随温度的变化关系，表明Ｐｒ3+在ＳＢＮ晶体中 3Ｐ0态的无辐射弛豫主要是 3Ｐ0→1Ｄ2多声子弛豫过程。
通过测量Ｐｒ：ＳＢＮ晶体的吸收光谱和荧光光谱来确定Ｐｒ3+在ＳＢＮ晶体中的能级位置。由于Ｐｒ3+离子占据晶体中的不同格位而引起荧光带呈现双峰结构。测量荧光寿命随温度的变化关系，表明Ｐｒ3+在ＳＢＮ晶体中 3Ｐ0态的无辐射弛豫主要是 3Ｐ0→1Ｄ2多声子弛豫过程。
