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少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

陈开茅 金泗轩 邱素娟

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少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

陈开茅, 金泗轩, 邱素娟

PROPERTIES OF MINORITY CARRIER TRAPS AND THE HOLE TRAPS IN SEMI-INSULATING LEC GaAs AFTER Si-AND Be-COIMPLANTATION

Chen Kai-mao, Jin Si-xuan, Qiu Su-juan
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-10-15
  • 刊出日期:  1994-04-05

少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)石家庄电子工业部十三研究所
    基金项目: 国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用深能级瞬态谱(DLTS)技术测量了高温退火的Be和Si共注入的LEC半绝缘GaAs(无掺杂)。在多子脉冲作用下的Al/Be-Si共注LECSIGaAs肖特基势垒中,观测到E01(0.298),E02(0.341),E03(0.555)和E04(0.821)等四个电子陷阱以及两个主要的少子(空穴)陷阱H'03(0.54)和H″03(0.57)。两少子陷阱的DLTS信号具有若干特点,比如它们的DLTS·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度;以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用DLTS技术测量这种陷阱的困难,我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为0.54和0.57eV。它们是新观测到的和Be-Si共注SIGaAs有关缺陷。

English Abstract

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