1996年 45卷 第11期
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1996, 45(11): 1777-1781.
doi: 10.7498/aps.45.1777
摘要:
获得了２Ｎ＋１阶ＫｄＶ型方程的显式精确孤波解．作为特例，讨论了高阶广义ＫｄＶ型方程、高阶广义ＭＫｄＶ型方程和高阶广义Ｓｃｈａｍｅｌ的ＭＫｄＶ型方程．还研究了２Ｎ＋１阶ＫＰ型方程
获得了２Ｎ＋１阶ＫｄＶ型方程的显式精确孤波解．作为特例，讨论了高阶广义ＫｄＶ型方程、高阶广义ＭＫｄＶ型方程和高阶广义Ｓｃｈａｍｅｌ的ＭＫｄＶ型方程．还研究了２Ｎ＋１阶ＫＰ型方程
1996, 45(11): 1782-1787.
doi: 10.7498/aps.45.1782
摘要:
研究了［１１０］和［１００］取向高纯铝单晶在６×１０－4拉压疲劳应变振幅条件下的应力σm和内耗Ｑ－１的变化，对不同阶段的位错组态作了详细的透射电子显微镜观察，并利用滑移几何的观点予以解释
研究了［１１０］和［１００］取向高纯铝单晶在６×１０－4拉压疲劳应变振幅条件下的应力σm和内耗Ｑ－１的变化，对不同阶段的位错组态作了详细的透射电子显微镜观察，并利用滑移几何的观点予以解释
1996, 45(11): 1788-1792.
doi: 10.7498/aps.45.1788
摘要:
在扭曲波库仑玻恩交换近似下计算了类钠铜离子２ｐ６３ｓ＋ｅ-→２ｐ5３ｓ３ｌ＋ｅ-（ｌ＝０，１，２）的内壳层激发截面．结合单组态近似和组态相互作用两种情况下计算的自电离分支比，计算了上述组态的激发自电离截面．结果表明，在入射电子能量为１０９０ｅＶ时，组态相互作用使２ｐ5３ｓ３ｄ总的激发自电离截面增大至单组态近似的近两倍；而使２ｐ5３ｓ2组态的激发自电离截面减小为单组态近似的３６％；２ｐ5３ｓ３ｐ组态的激发自电离截面只是略有下降
在扭曲波库仑玻恩交换近似下计算了类钠铜离子２ｐ６３ｓ＋ｅ-→２ｐ5３ｓ３ｌ＋ｅ-（ｌ＝０，１，２）的内壳层激发截面．结合单组态近似和组态相互作用两种情况下计算的自电离分支比，计算了上述组态的激发自电离截面．结果表明，在入射电子能量为１０９０ｅＶ时，组态相互作用使２ｐ5３ｓ３ｄ总的激发自电离截面增大至单组态近似的近两倍；而使２ｐ5３ｓ2组态的激发自电离截面减小为单组态近似的３６％；２ｐ5３ｓ３ｐ组态的激发自电离截面只是略有下降
1996, 45(11): 1793-1799.
doi: 10.7498/aps.45.1793
摘要:
讨论水溶液样品ＮＯＥＳＹ谱ω1维上出现的谐波，用辐射阻尼线形理论对实验进行了分析，证明了这些谐波是由辐射阻尼造成的伪信号．同时分析了这种伪信号在不同混合时间时的线形特征，与实验结果符合相当好，给出了实验上消除这种伪信号的方法
讨论水溶液样品ＮＯＥＳＹ谱ω1维上出现的谐波，用辐射阻尼线形理论对实验进行了分析，证明了这些谐波是由辐射阻尼造成的伪信号．同时分析了这种伪信号在不同混合时间时的线形特征，与实验结果符合相当好，给出了实验上消除这种伪信号的方法
1996, 45(11): 1800-1806.
doi: 10.7498/aps.45.1800
摘要:
报道在超声射流冷却条件下用同步辐射ＶＵＶ光源研究ＣＨ2Ｂｒ2的振动自电离结构．根据测量的１０５—１２３ｎｍ范围内母体离子（ＣＨ2Ｂｒ2+）的光电离产率曲线，获得ＣＨ2Ｂｒ2的绝热电离势为１０.２３±０.０１ｅＶ．ＣＨ2Ｂｒ2+的最低三个电子激发态，即Ａ（2Ａ2），Ｂ（2Ｂ1），Ｃ（2Ａ1）分别位于１０.７８±０.０１ｅＶ，１１.２０±０.０１ｅＶ和１１.２７±０.０１ｅＶ．在１１５.０１—１２１.１５ｎｍ范围内，观察到ＣＨ2Ｂｒ2自电离峰叠加在若干台阶结构上，台阶平均宽度为７１６.８±４０.０ｃｍ-1，对应于ＣＨ2Ｂｒ2+（Ｘ2Ｂ2）中Ｂｒ-Ｃ-Ｂｒ反对称的伸缩振动（ｖ9），所有的峰均归属为收敛于ＣＨ2Ｂｒ2+（Ｘ2Ｂ2，ｖ+）振动能级的ｎｓ，ｎｐ和ｎｄ自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ态．此外，对ＣＨ2Ｂｒ2光解离电离产生离子型自由基ＣＨ2Ｂｒ+（Ｘ）的光电离产率曲线的结构也进行了归属
报道在超声射流冷却条件下用同步辐射ＶＵＶ光源研究ＣＨ2Ｂｒ2的振动自电离结构．根据测量的１０５—１２３ｎｍ范围内母体离子（ＣＨ2Ｂｒ2+）的光电离产率曲线，获得ＣＨ2Ｂｒ2的绝热电离势为１０.２３±０.０１ｅＶ．ＣＨ2Ｂｒ2+的最低三个电子激发态，即Ａ（2Ａ2），Ｂ（2Ｂ1），Ｃ（2Ａ1）分别位于１０.７８±０.０１ｅＶ，１１.２０±０.０１ｅＶ和１１.２７±０.０１ｅＶ．在１１５.０１—１２１.１５ｎｍ范围内，观察到ＣＨ2Ｂｒ2自电离峰叠加在若干台阶结构上，台阶平均宽度为７１６.８±４０.０ｃｍ-1，对应于ＣＨ2Ｂｒ2+（Ｘ2Ｂ2）中Ｂｒ-Ｃ-Ｂｒ反对称的伸缩振动（ｖ9），所有的峰均归属为收敛于ＣＨ2Ｂｒ2+（Ｘ2Ｂ2，ｖ+）振动能级的ｎｓ，ｎｐ和ｎｄ自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ态．此外，对ＣＨ2Ｂｒ2光解离电离产生离子型自由基ＣＨ2Ｂｒ+（Ｘ）的光电离产率曲线的结构也进行了归属
1996, 45(11): 1807-1811.
doi: 10.7498/aps.45.1807
摘要:
把奇偶相干态推广到了非简谐振子的势场中，发现随着平均能量的增加，奇偶广义相干态交替出现压缩现象．在随时间的演化过程中，自然坐标与自然动量的量子起伏产生周期为π／２的压缩
把奇偶相干态推广到了非简谐振子的势场中，发现随着平均能量的增加，奇偶广义相干态交替出现压缩现象．在随时间的演化过程中，自然坐标与自然动量的量子起伏产生周期为π／２的压缩
1996, 45(11): 1812-1816.
doi: 10.7498/aps.45.1812
摘要:
采用Ｔｈｏｍａｓ-Ｆｅｒｍｉ近似势，将多电子系统简化为单电子问题，并用微扰论求解了Ｋｌｅｉｎ-Ｇｏｒｄｏｎ方程．由电子的零级波函数求得了电荷密度和电流密度的零级表达式．通过适当简化Ｋｌｅｉｎ-Ｇｏｒｄｏｎ方程，用分离变量和ＷＫＢ近似，求得了电子波函数及相应的电荷密度与电流密度的表达式
采用Ｔｈｏｍａｓ-Ｆｅｒｍｉ近似势，将多电子系统简化为单电子问题，并用微扰论求解了Ｋｌｅｉｎ-Ｇｏｒｄｏｎ方程．由电子的零级波函数求得了电荷密度和电流密度的零级表达式．通过适当简化Ｋｌｅｉｎ-Ｇｏｒｄｏｎ方程，用分离变量和ＷＫＢ近似，求得了电子波函数及相应的电荷密度与电流密度的表达式
1996, 45(11): 1817-1823.
doi: 10.7498/aps.45.1817
摘要:
通过大型流体动力学转盘实验，证实了自然界中以台风为代表的大尺度涡旋运动形态具有孤子特性，建议用“螺旋孤子”来刻划这类运动形态
通过大型流体动力学转盘实验，证实了自然界中以台风为代表的大尺度涡旋运动形态具有孤子特性，建议用“螺旋孤子”来刻划这类运动形态
1996, 45(11): 1824-1829.
doi: 10.7498/aps.45.1824
摘要:
测量了蓝青铜K0.3MoO3单晶Ｒ-Ｔ曲线，发现曲线在２８０Ｋ左右有异常变化，计算得到１８０Ｋ以下的半导体能隙为１３２０Ｋ（０.１１ｅＶ）．液氮温度下测量了晶体的非线性导电性，得到电场阈值为０.1２９Ｖ／ｃｍ．样品ＤＳＣ研究表明，样品在２４０Ｋ处经历一新的Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，且为一级相变，据此对相变的微观性质进行了定量计算．１８０Ｋ附近Δｃp-Ｔ曲线表明，１８０Ｋ处的相变为一个二级相变加一个一级相变
测量了蓝青铜K0.3MoO3单晶Ｒ-Ｔ曲线，发现曲线在２８０Ｋ左右有异常变化，计算得到１８０Ｋ以下的半导体能隙为１３２０Ｋ（０.１１ｅＶ）．液氮温度下测量了晶体的非线性导电性，得到电场阈值为０.1２９Ｖ／ｃｍ．样品ＤＳＣ研究表明，样品在２４０Ｋ处经历一新的Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，且为一级相变，据此对相变的微观性质进行了定量计算．１８０Ｋ附近Δｃp-Ｔ曲线表明，１８０Ｋ处的相变为一个二级相变加一个一级相变
1996, 45(11): 1840-1845.
doi: 10.7498/aps.45.1840
摘要:
直接法用于求解晶体超结构，已证明是一种客观的、有效的方法．本文提出通过使各衍射组衍射数目相等或Ｅ值均衡指派，均可收到提高直接法解超结构能力的效果．有关算法已编入新版的ＳＡＰＩ程序
直接法用于求解晶体超结构，已证明是一种客观的、有效的方法．本文提出通过使各衍射组衍射数目相等或Ｅ值均衡指派，均可收到提高直接法解超结构能力的效果．有关算法已编入新版的ＳＡＰＩ程序
1996, 45(11): 1846-1851.
doi: 10.7498/aps.45.1846
摘要:
利用同步辐射光，在对称Ｌａｕｅ情况下，于Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）的衍射波和透射波的摇摆曲线．通过测定的透射波的摇摆曲线和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果的定量比较，求得ＧａＡｓ中的Ｇａ原子在其Ｋ吸收限附近的反常散射因数
利用同步辐射光，在对称Ｌａｕｅ情况下，于Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）的衍射波和透射波的摇摆曲线．通过测定的透射波的摇摆曲线和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果的定量比较，求得ＧａＡｓ中的Ｇａ原子在其Ｋ吸收限附近的反常散射因数
1996, 45(11): 1852-1858.
doi: 10.7498/aps.45.1852
摘要:
根据铌酸锂晶体本征缺陷的Ｌｉ空位模型，提出了掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构模型；计算出了掺镁铌酸锂晶体中Ｌｉ２Ｏ，Ｎｂ２Ｏ5的含量、［Ｌｉ］／［Ｎｂ］比以及晶体的密度随掺镁浓度的变化关系．计算结果与文献中报道的实验结果相符合
根据铌酸锂晶体本征缺陷的Ｌｉ空位模型，提出了掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构模型；计算出了掺镁铌酸锂晶体中Ｌｉ２Ｏ，Ｎｂ２Ｏ5的含量、［Ｌｉ］／［Ｎｂ］比以及晶体的密度随掺镁浓度的变化关系．计算结果与文献中报道的实验结果相符合
1996, 45(11): 1859-1864.
doi: 10.7498/aps.45.1859
摘要:
用低频强迫振动模式测量了Ｚｎ-２２％Ａｌ合金的动态力学性质（实模量、虚模量和内耗），观察到共析转变时具有典型的一级相变特征的内耗峰及共析转变温度以下的Ａｌ原子沿α／β相界以及α／α晶界扩散的弛豫过程．结合实验结果，对界面的稳定性和模量的变化进行了讨论
用低频强迫振动模式测量了Ｚｎ-２２％Ａｌ合金的动态力学性质（实模量、虚模量和内耗），观察到共析转变时具有典型的一级相变特征的内耗峰及共析转变温度以下的Ａｌ原子沿α／β相界以及α／α晶界扩散的弛豫过程．结合实验结果，对界面的稳定性和模量的变化进行了讨论
1996, 45(11): 1865-1874.
doi: 10.7498/aps.45.1865
摘要:
首先通过ｓ波散射近似将三维多通道共振能级模型转换成一维问题，然后利用玻色变换在算符水平上将其进一步转化为单通道Ｋｏｎｄｏ模型，并在此基础上导出多通道共振能级模型的两个不动点哈密顿量．同时计算了模型的比热，讨论了系统的费密与非费密液体行为
首先通过ｓ波散射近似将三维多通道共振能级模型转换成一维问题，然后利用玻色变换在算符水平上将其进一步转化为单通道Ｋｏｎｄｏ模型，并在此基础上导出多通道共振能级模型的两个不动点哈密顿量．同时计算了模型的比热，讨论了系统的费密与非费密液体行为
1996, 45(11): 1875-1883.
doi: 10.7498/aps.45.1875
摘要:
用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性
用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性
1996, 45(11): 1884-1889.
doi: 10.7498/aps.45.1884
摘要:
采用ＬＭＴＯ-ＡＳＡ方法，对几种不同方法获得的不尽相同的Ａｇ（１１１）“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究，给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构特性．根据表面能的大小，指出了最稳定表面结构应为单层向内弛豫表面，并对该类表面结构的电子结构特性作了分析和讨论．作为对比，还分析讨论了清洁理想Ａｇ（００１）表面的电子结构特性．根据Ａｇ（１１１）和Ａｇ（００１）表面能的区别，指出Ａｇ（００１）表面较Ａｇ（１１１）表面稳定
采用ＬＭＴＯ-ＡＳＡ方法，对几种不同方法获得的不尽相同的Ａｇ（１１１）“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究，给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构特性．根据表面能的大小，指出了最稳定表面结构应为单层向内弛豫表面，并对该类表面结构的电子结构特性作了分析和讨论．作为对比，还分析讨论了清洁理想Ａｇ（００１）表面的电子结构特性．根据Ａｇ（１１１）和Ａｇ（００１）表面能的区别，指出Ａｇ（００１）表面较Ａｇ（１１１）表面稳定
1996, 45(11): 1890-1897.
doi: 10.7498/aps.45.1890
摘要:
研究—Ｈ，—Ｏ或—ＯＨ基吸附于表面的纳米硅集团电子结构的变化情况．选取了几种可能的吸附构型，用定域密度泛函（ＬＤＦ）-集团模型数值自洽求解方法的第一性原理计算，求得优化的吸附位置、相应的电子结构，并分析了有关的光学性质．在全氢饱和的情况下，能隙比硅体的宽，呈明显的量子尺寸效应；部分—Ｈ被—Ｏ原子取代后，在禁带中出现一些“尾态”，这些态部分被占有；若以—ＯＨ基取代—Ｏ，则相应的空尾态被占有，但带隙变化不大．—Ｏ和—ＯＨ吸附时均不呈现明显的量子尺寸效应
研究—Ｈ，—Ｏ或—ＯＨ基吸附于表面的纳米硅集团电子结构的变化情况．选取了几种可能的吸附构型，用定域密度泛函（ＬＤＦ）-集团模型数值自洽求解方法的第一性原理计算，求得优化的吸附位置、相应的电子结构，并分析了有关的光学性质．在全氢饱和的情况下，能隙比硅体的宽，呈明显的量子尺寸效应；部分—Ｈ被—Ｏ原子取代后，在禁带中出现一些“尾态”，这些态部分被占有；若以—ＯＨ基取代—Ｏ，则相应的空尾态被占有，但带隙变化不大．—Ｏ和—ＯＨ吸附时均不呈现明显的量子尺寸效应
1996, 45(11): 1898-1904.
doi: 10.7498/aps.45.1898
摘要:
利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构
利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构
1996, 45(11): 1905-1912.
doi: 10.7498/aps.45.1905
摘要:
富勒烯（Ｃ６０和Ｃ7０）薄膜可外延生长在新鲜解理的云母（００１）平面．以这富勒烯层为衬底，将金属薄膜蒸镀在其上，便构成典型的二维渗流系统．蒸镀过程在超高真空系统中完成，并同时对样品的电阻特性进行原位测量．随着外加电压的增加，观测到样品电阻可逆的变化现象与不可逆的电击穿现象．在渗流阈值附近，击穿电流Ｉb与样品电阻Ｒ之间表现出幂指数关系：Ｉb～Ｒ－α．指数α比前人实验给出的数值和Ｎｏｄｅｓ-Ｌｉｎｋｓ-Ｂｌｏｂｓ模型的预期值小得多，而且随着衬底材料的不同而不同．基于金属和富勒烯界面相互作用的理论，对这些现象作了解释
富勒烯（Ｃ６０和Ｃ7０）薄膜可外延生长在新鲜解理的云母（００１）平面．以这富勒烯层为衬底，将金属薄膜蒸镀在其上，便构成典型的二维渗流系统．蒸镀过程在超高真空系统中完成，并同时对样品的电阻特性进行原位测量．随着外加电压的增加，观测到样品电阻可逆的变化现象与不可逆的电击穿现象．在渗流阈值附近，击穿电流Ｉb与样品电阻Ｒ之间表现出幂指数关系：Ｉb～Ｒ－α．指数α比前人实验给出的数值和Ｎｏｄｅｓ-Ｌｉｎｋｓ-Ｂｌｏｂｓ模型的预期值小得多，而且随着衬底材料的不同而不同．基于金属和富勒烯界面相互作用的理论，对这些现象作了解释
1996, 45(11): 1913-1920.
doi: 10.7498/aps.45.1913
摘要:
提出一个联合模型，在ｓ＋ｄ混合波对称性下，合并考虑电子间配对相互作用的各向异性及二维电子结构上Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性对超导电性的影响．理论结果表明：Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性及配对相互作用的各向异性都是使Ｔc提高的重要因素；各向异性的电子配对相互作用自然导致序参量的ｄ波成分，当此各向异性增强时，ｄ波成分也增大．高温超导体的较高２Δ（０）／ｋＢＴc值可能预示着在这些材料中ｓ波的权重远小于ｄ波权重．联合效应模型下的Ｔc处比热跳跃行为与经典的ＢＣＳ理论也完全不同
提出一个联合模型，在ｓ＋ｄ混合波对称性下，合并考虑电子间配对相互作用的各向异性及二维电子结构上Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性对超导电性的影响．理论结果表明：Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性及配对相互作用的各向异性都是使Ｔc提高的重要因素；各向异性的电子配对相互作用自然导致序参量的ｄ波成分，当此各向异性增强时，ｄ波成分也增大．高温超导体的较高２Δ（０）／ｋＢＴc值可能预示着在这些材料中ｓ波的权重远小于ｄ波权重．联合效应模型下的Ｔc处比热跳跃行为与经典的ＢＣＳ理论也完全不同
1996, 45(11): 1930-1839.
doi: 10.7498/aps.45.1930
摘要:
利用数值模拟，研究了不同条件下赤道电离层等离子体交换不稳定性的演变和扩展Ｆ不均匀体的形态。使用一维或二维初始密度扰动时，交换不稳定性可以发展成为等离子体泡，但不能产生泡壁上的羽毛状结构．大气重力波触发的交换不稳定性能在更短的时间内增长成为等离子体泡．当使用重力波和一个较小尺度密度扰动作为初始扰动时，重力波确定了赤道扩展Ｆ不均匀体的外尺度，较小尺度密度扰动则增长成为泡壁上的羽毛状结构．数值模拟结果与大量观测现象符合得很好
利用数值模拟，研究了不同条件下赤道电离层等离子体交换不稳定性的演变和扩展Ｆ不均匀体的形态。使用一维或二维初始密度扰动时，交换不稳定性可以发展成为等离子体泡，但不能产生泡壁上的羽毛状结构．大气重力波触发的交换不稳定性能在更短的时间内增长成为等离子体泡．当使用重力波和一个较小尺度密度扰动作为初始扰动时，重力波确定了赤道扩展Ｆ不均匀体的外尺度，较小尺度密度扰动则增长成为泡壁上的羽毛状结构．数值模拟结果与大量观测现象符合得很好
