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用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)

张幼文 郁启华

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用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)

张幼文, 郁启华

THE CALCULATION OF THE ENERGY-BAND STRUCTURE OF SOME SEMICONDUCTORS WITH THE PSEUDOPOTENTIAL PERTURBATION METHOD (APPLICATION TO GaAs, GaP AND Ga[As1-xPx]ALLOY)

CHANG YU-WON, YU QI-HUA
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出版历程
  • 收稿日期:  1964-11-02
  • 刊出日期:  1965-03-05

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