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用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

鲍庆成 王启明 彭怀德 朱龙德 高季林

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用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

鲍庆成, 王启明, 彭怀德, 朱龙德, 高季林

USING MOS STRUCTURE TO STUDY THE DEEP LEVEL OF QUARTERNARY MIXED CRYSTAL In0.75Ga0.25As0.58P0.42

BAO QING-CHENG, WANG QI-MING, PENG HUAI-DE, ZHU LONG-DE, GAO JI-LIN
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-12-29
  • 修回日期:  1982-08-31
  • 刊出日期:  2005-07-21

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